Указания к составлению отчета. 5.1 Привести схемы исследования, таблицы с результатами измерений

5.1 Привести схемы исследования, таблицы с результатами измерений, осциллограммы.

5.2 На графике 1 построить характеристику передачи и зависимость напряжения на коллекторе от тока базы.

5.3 По кривым графика 1 определить статический коэффициент передачи тока базы, I_{Б НАС}, остаточное напряжение на транзисторе в точке насыщения.

5.4 На графиках 2 и 3 построить зависимость временных параметров от прямого тока базы и запирающего напряжения.

5.5 Проанализировать и объяснить все полученные зависимости и осциллограммы.

Приложение А

Таблица А.1- Варианты заданий

№ Вар
Тип БТ	KT 315B	KT 315D	KT 315E	KT 315G	KT 315I
№ Вар
Тип БТ	KT 315V	KT 315Z	KT316A	KT316B	KT316D
№ Вар
Тип БТ	KT316G	KT316V	KT355A	KT368A	KT368B

Лабораторная работа № 8

Исследование логических интегральных микросхем

На биполярных транзисторах

Цель работы

Ознакомиться с принципом работы логических интегральных схем, выполненных на биполярных транзисторах (БТ), исследовать их характеристики и определить параметры.

Подготовка к работе

2.1Изучить следующие вопросы курса.

2.1.1 Понятие о логических элементах НЕ, ИЛИ, И, ИЛИ-НЕ, И-НЕ.

2.1.2 Условные обозначения логических ИМС.

2.1.3 Основные параметры и характеристики логических ИМС.

2.1.4 Схемотехническая реализация логических ИМС на биполярных транзисторах.

2.1.5 Схемы для исследования характеристик и определения параметров.

2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы.

2.2.1 Назначение и применение логических ИМС.

2.2.2.Принцип работы логических схем И, ИЛИ, НЕ, И-НЕ, ИЛИ-НЕ.

2.2.3 Основные законы алгебры логики.

2.2.4 Дать определение ниже перечисленных параметров логических ИМС:

а) величина напряжения, соответствующего логическому нулю и единице;

б) входной и выходной токи, соответствующие логическому нулю и единице;

в) нагрузочная способность (коэффициент разветвления по выходу);

г) среднее время задержки распространения сигнала;

д) статическая помехоустойчивость;

е) потребляемая мощность;

ж) энергия переключения.

2.2.5 Начертить схемы электрические принципиальные базовых элементов и объяснить принцип работы ИМС следующих типов:

а) диодно-транзисторная логика (ДТЛ);

б) транзистор - транзисторная логика (ТТЛ);

в) ТТЛ с открытым коллектором;

г) ТТЛ со сложным инвертором;

д) ТТЛ с тремя состояниями;

е) ТТЛ с диодами Шоттки (ТТЛШ).

2.2.6 Статические характеристики исследуемых логических ИМС и определение по ним параметров.

Литература

1 Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники, - СибГУТИ, Новосибирск, 2005, стр. 152-162.

2 Алексенко А.Г. Шагурин И.И., Микросхемотехника - Учебное пособие для ВУЗов.- М.: Радио и связь, 1990, с. 74-88, 99-100

3 Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – СПб.: Издательство «Лань», 2008, с.258-275.

4 Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. -М: Лаборатория Базовых Знаний, 2001, с. 412-426.

5 Савиных В.Л. Электроника. Конспект лекций. Электронная версия. СибГУТИ, 2009.

Дата добавления: 2015-08-09