Читайте также:
|
5.1 Извлечь файл " ППИМС" из папки "Электроника" и выбрать топологию соответствующей ИМС согласно заданного варианта. Записать тип исследуемой микросхемы.
5.2 Провести анализ топологического чертежа ИМС заданной ППИМС. Для этого используя принципиальную схему:
а) нанести на топологический чертеж соединительные пленочные проводники;
б) определить и обозначить на топологическом чертеже транзисторы, области коллектора, базы и эмиттера; контакты выводов эмиттера, базы и коллектора;
в) найти и указать диодные структуры;
г) выяснить, как осуществляется изоляция для каждой транзисторной и диодной структуры;
д)определить область на кристалле (карман), в которой сформированы резисторы. Определить и обозначить номера резисторов. Определить контакты выводов резисторов.
5.3 Используя второй топологический чертеж базового кристалла (рисунок 1) составить схему разводки соединительных пленочных проводников для указанного преподавателем варианта электрической схемы в соответствии с рисунком 4, при этом проводники не должны пересекаться. Внешние выводы (за исключением выводов питания 1 и 7) располагать произвольно с наибольшей целесообразностью.
6 Указания к составлению отчета.
6.1 Привести принципиальную схему исследуемой ППИМС и схему, заданную для выполнения пленочных соединений на базовом кристалле.
6.2 Привести два топологических чертежа с обозначением на них элементов согласно исследуемой и заданной принципиальным схемам (пп 5.2-5.3).
6.3 Дать пояснения по пунктам задания 5.2а -5.2д.
Рисунок 4 – Варианты принципиальных схем
Дата добавления: 2015-08-09; просмотров: 64 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Подготовка к работе | | | Задание на работу в лаборатории |