Подготовка к работе

Электроника

Практикум

Новосибирск 2010

УДК 621.3.049.77

Ктн, доцент В.Л. Савиных

ктн, доцент С.В. Воробьева

асс. Э.Н. Шилай

Кафедра технической электроники.

Иллюстраций 46, таблиц 49.

Рецензент к.т.н., доц. Матвеев В.А.

Методические указания предназначаются для студентов дневной и заочной форм обучения по направлениям 210 300, 210 400, 230 100.

Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ в качестве

методических указаний.

ã Сибирский государственный университет телекоммуникаций и

информатики, 2010 г.

Содержание

Лабораторная работа № 1 Исследование гибридных интегральных микросхем..4

Лабораторная работа № 2 Исследование полупроводниковых интегральных

микросхем ……………………………………………………………………………9

Лабораторная работа № 3 Исследование усилителя на биполярном

транзисторе …………………………………………………………………………13

Лабораторная работа №4 Исследование усилителя на полевом транзисторе...19

Лабораторная работа № 5 Исследование характеристик и параметров

операционного усилителя........................................................................................25

Лабораторная работа № 6 Исследование функциональных узлов на основе

операционного усилителя …..………………………..……………………………34

Лабораторная работа № 7 Исследование работы биполярного транзистора в

режиме ключа ……..……………………………………………………….....……45

Лабораторная работа № 8 Исследование логических интегральных микросхем

на биполярных транзисторах ………………… ……………………….………….50

Лабораторная работа № 9 Исследование логических интегральных микросхем

на полевых транзисторах ………………………………....….………...……..…..56

Лабораторная работа №1

Исследование гибридных интегральных микросхем

Цель работы

Изучить устройство гибридных интегральных микросхем (ГИМС) и определить параметры пассивных элементов.

Подготовка к работе

2.1 Изучить следующие вопросы курса:

2.1.1 Устройство ГИМС;

2.1.2 Подложки ГИМС. Требования, предъявляемые к материалам подложек, материалы подложек;

2.1.3 Устройство резисторов, конденсаторов, индуктивностей, пленочных проводников и контактных площадок в составе ГИМС. Требования к материалам этих элементов;

2.1.4 Методы изготовления тонкопленочных резисторов, конденсаторов, проводников и контактных площадок ГИМС;

2.1.5 Навесные компоненты ГИМС, особенности их устройства и монтажа;

2.1.6 Конструкция корпусов ГИМС.

2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы.

2.2.1 Рассказать о конструкции ГИМС.

2.2.2 Рассказать о требованиях, предъявляемых к материалам, использу-емых для подложек ГИМС. Какие материалы используются для подложек?

2.2.3 Рассказать о требованиях, предъявляемых к резисторам, конденсаторам, индуктивностям, пленочныым проводникам и контактным площадкам в составе ГИМС.

2.2.4 От каких факторов зависит величина сопротивления резисторов и емкости конденсаторов?

2.2.5 Какими методами изготавливается заданная конфигурация тонкопленочных резисторов, конденсаторов, проводников и контактных площадок ГИМС?

2.2.6 Рассказать о конструкции навесных компонентов ГИМС.

2.2.7 Рассказать о конструкции корпусов ГИМС.

Литература

1 Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – СПб.: Издательство «Лань», 2008, с.155-216.

2 Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. -М: Лаборатория Базовых Знаний, 2001, с. 274-280.

3 Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника: Под редакцией Федорова Н.Д. - М.: Радио и связь, 1998, с.201-214.

4 Савиных В.Л. Конспект лекций. Электронная версия. СибГУТИ. 2009

Дата добавления: 2015-08-09