Оптоелектронні елементи

Оптоелектронніелементи використовують перетворення електричних сигналів в оптичні (рис. 16) і містять джерело світла (ДС) та приймач світла - фотоприймач (ФП), які по­єднані між собою оптичним середовищем. Такі елементи нази­вають ٭ оптронами (оптопарами).

Як джерело світла використовується інфрачервоний випроміню­вальний діод, світлодіод або напівпровідниковий лазер. Для фотоприй­мача використовують фоторезистори (рис. 16, б), фотодіоди (рис. 16, в), фототранзистори (рис. 16, г) і фототиристори (рис. 16, д).

Рис. 16. Структура оптрона (а), схемне зображення фоторезисторного (б), фотодіодного (в), фототранзисторного (г) і фототиристорного (д) оптронів

Основною ознакою оптрона є великий опір ізоляції між вхідними і вихідними електричними колами, що становить (10¹²÷10²⁴) Ом. Це дає змогу за допомогою сигналів малої потужності керувати високи­ми напругами до 1500 В і струмами до 300 А. До характеристик оптопар також відносять коефіцієнт пересилання за струмом К_і (від сотих у фотодіодних до 10 у фототранзисторних) і час перемикання (від 2·10^-3 с у фототранзисторних до 10^-8 с у фотодіодних).

Маркування оптронів здійснюється так:

· перша літера - матеріал напівпровідника (найчастіше викорис­товуваний - сполуки галію, тоді літера А);

· друга літера - О (оптопара);

· третя літера - тип фотоприймача (Д - фотодіод, Т - фото-транзистор, У - тиристор, Р - з відкритим оптичним каналом);

· три цифри - номер приладу;

· остання літера - класифікація за параметром.

Якщо на оптопарі є напис АОТ121Б, то це - оптопара діод-транзистор на сполуці галію, номер 121 Б, група параметрів Б.

Дата добавления: 2015-07-18