Фоторезистор. Принцип работы

Фоторезистор представляет собой полупроводниковый резистор, сопротивление которого изменяется под действием излучения. На диэлектрическую пластину 1 нанесен тонкий слой полупроводника 2 с контак­тами 3 по краям. Схема включения фоторезистора приведена. Полярность источника питания не играет роли. Если облучения нет, то фоторези­стор имеет некоторое большое сопро­тивление R_T, называемое темновым. Оно является одним из параметров фоторе­зистора и составляет 10⁴—10⁷ Ом. Соот­ветствующий ток через фоторезистор называют темновым током. При действии излучения достаточной энерги­ей фотонов на фоторезистор в нем происходит генерация пар подвижных носителей заряда (электронов и дырок) и его сопротивление уменьшается.

Для фоторезисторов применяют раз­личные полупроводники, имеющие нуж­ные свойства. Так, например, сернистый свинец наиболее чувствителен к инфра­красным, а сернистый кадмий — к види­мым лучам. Фоторезисторы характери­зуются удельной чувствительностью, т. е. интегральной чувствительностью ', отнесенной к 1 В приложенного напря­жения: . Ф-световой поток. Обычно удельная чувствительность составляет несколько сотен или тысяч микроампер на вольт-люмен.

Фоторезисторы имеют линейную вольт-амперную и нелинейную энерге­тическую характеристику (рис. 13.2). К параметрам фоторезисторов кроме тем-нового сопротивления и удельной чув­ствительности следует еще отнести мак­симальное допустимое рабочее напряже­ние (до 600 В). Кратность изменения сопротивления (может быть до 500), тем­пературный коэффициент фототока ТКФ= I/(I T). Значительная зависи­мость сопротивления от температуры, характерная для полупроводников, яв­ляется недостатком фоторезисторов. Су­щественным недостатком надо считать также их большую инерционность, объ­ясняющуюся довольно большим време­нем рекомбинации электронов и дырок после прекращения облучения

Дата добавления: 2015-07-15