Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом.

В полевых транзисторах с изолированным затвором последний отделен от полупроводника диэлектриком.

Здесь, кроме электродов исток, сток и затвор, имеется еще один электрод (так называемый «подложка»), напряжение на котором также может менять свойства транзистора.

Если напряжение на затворе относительно истока отрицательно, то имеет место явление обеднения канала (уменьшение числа носителей заряда): в данном случае электроны выталкиваются из канала в p - область, что приводит к уменьшению тока через канал; при положительном же напряжении затвор-исток наоборот имеет место обогащение канала электронами, пришедших в канал из областей p и n⁺, что приводит к увеличению тока через канал. Таким образом этот полевой транзистор может работать и при положительных и при отрицательных значениях напряжения затвор-исток. При этом ток через затвор не протекает, так затвор изолирован от канала.

выходных ВАХ данного транзистора изображен на рис.4.8,а; передаточные свойства транзистора показаны на рис. 4.8

Дата добавления: 2015-07-15