|
Читайте также: |
В зависимости от сочетания знаков и значений напряжений на p-n-переходах транзистора различают следующие режимы его работы:
а) активный режим – на эмиттерный переход подано прямое напряжение, а на коллекторный переход – обратное;
б) режим отсечки – на оба перехода поданы обратные напряжения (транзистор заперт);
в) режим насыщения – на оба перехода поданы прямые напряжения (транзистор полностью открыт);
г) инверсный активный режим – напряжение на эмиттерном переходе обратное, на коллекторном – прямое.
Режимы отсечки и насыщения характерны для работы транзистора в качестве электронного ключа; активный режим используют при работе транзистора в усилителях. Инверсное включение используется редко, например, в схемах двунаправленных переключателей, при этом транзисторы должны иметь симметричные свойства в обоих направлениях.
В режиме отсечки оба перехода заперты, через них проходят незначительные обратные токи, что эквивалентно большому сопротивлению переходов.
Основные параметры
Коэффициент передачи по току
Входное сопротивление
Выходная проводимость
Обратный ток коллектор-эмиттер
Время включения
Предельная частота коэффициента передачи тока базы
Обратный ток колектора
Максимально допустимый ток
Граничная частота коэффициента передачи по схеме с общим эмитером
Транзистор применяется в:
Усилительных схемах. Генераторах сигналов. Электронных ключах.
4) Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.
Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).
По физической структуре и механизму работы полевые транзисторы условно делят на 2 группы. Первую образуют транзисторы с управляющим р-n переходом или переходом металл — полупроводник (барьер Шоттки), вторую — транзисторы с управлением посредством изолированного электрода (затвора), т. н. транзисторы МДП (металл—диэлектрик—полупроводник).
УГОполевого транзистора с p-n-переходом и каналом n-типа
УГО полевого транзистора с p-n-переходом и каналом p-типа
5) Фотоэлектрическими называют приборы, в которых энергия оптического излучения преобразуется в электрическую. Оптическим является электромагнитное излучение с длинами волн от 5 до 106 нм. Фотоэлектрические приборы обычно классифицируют по виду рабочей среды, типу фотоэлектрического эффекта, функциональному назначению и др. фотоэлектрические приборы, действие которых основано на внутреннем фотоэффекте (фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, полупроводниковые фотоэлементы). По назначению ФЭП делятся на излучающие, приемные, оптопары и оптоэлектронные интегральные микросхемы.
Оптоэлектронными приборами называют приборы, принцип действия которых основан на излучении или преобразовании электромагнитных колебаний оптического диапазона волн
Фоторезисторы (ФР) - это полупроводниковые резисторы, принцип действия которых основан на фоторезистивном эффекте, т.е. на изменений сопротивления полупроводника под действием светового облучения.
Фотодиод это обратносмещенный полупроводниковый диод, обратный ток которого определяется степенью освещенности. Фотодиод (ФД) представляет собой обычный полупроводниковый диод (Рис.4.), корпус которого имеет световое окно и линзу. Материалом изготовления служат германий и кремний.
УГО: 
Фотоэлементом (ФЭ) называют полупроводниковый прибор с выпрямляющим переходом, предназначенный для непосредственного преобразования световой энергии в электрическую.
Фототранзисторы (ФТР) - это фотогальванические приемники светового излучения, обеспечивающие преобразование световой энергии в электрический ток и усиление его.
Светодио́д или светоизлучающий диод - полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом или контактом металл-полупроводник, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока.
Оптопара — микросхема, состоящий из излучателя света и фотоприёмника, связанных друг с другом оптически и помещенных в общем корпусе. Иногда о. называют также пару "излучатель-фотоприёмник" с любыми видами оптической и электрической связи между ними. О. используют для связи отдельных частей радиоэлектронных устройств.
УГО:
Фототиристор — оптоэлектронный полупроводниковый прибор, имеющий структуру, схожую со структурой обычного тиристора, но отличающийся от последнего тем, что включается не напряжением, а светом, падающим на тиристорную структуру. Этот прибор применяется в управляемых светом выпрямителях и наиболее эффективен в управлении сильными токами при высоких напряжениях.
УГО: 
6) Эмиттер - это электрод,который обеспечивает транзисторы носителями заряда.
Коллектор -принемает носителей заряда,которые выходят из эмиттера.
База- приводит в порядок движения ностилей заряда от эмиттора к коллектору. А так же он управляющий и распределяющий электрод транзистора.
Инжекция — физическое явление, наблюдаемое в полупроводниковых p-n-переходах или гетеропереходах, при котором при пропускании электрического тока в прямом направлении через p-n-переход в прилежащих к переходу областях создаются высокие концентрации неравновесных («инжектированных») носителей заряда. Явление инжекции является следствием уменьшения высоты потенциального барьера в p-n-переходе при подаче на него прямого смещения.
Экстракций- (втягивание)-назначение коллектора.
7) Пассивные элементы электроники
Резисторы - это наиболее распространенные компоненты электронной аппаратуры, с помощью которых осуществляется регулирование и распределение электрической энергии между цепями и элементами схем.
Конденсаторы по применению в электронной аппаратуре занимают второе место после резисторов. Принцип работы конденсаторов основан на их способности накапливать электрический заряд на обкладках при приложении к ним разности потенциалов. К основным параметрам конденсаторов относятся номинальное значение емкости конденсатора и допустимое отклонение действительной емкости от номинального значения
Катушками индуктивности называют элементы аппаратуры, предназначенные для запасания энергии электромагнитного поля.
Трансформатор – это электромагнитное устройство, имеющее две или более индуктивно связанные обмотки, которое предназначено для преобразования посредством электромагнитной индукции одной или нескольких систем переменного тока в одну или несколько других систем переменного тока.
8) Полевые транзисторы применяются для усиления мощности. Они практические не потребляют из входной цепи. Выдающиеся примеры устройств, построенных на полевых транзисторах, — наручные кварцевые часы и пульт дистанционного управления для телевизора.
Контакт,через который носители заряда входят в канал называется- И-с током.
Контакт, ч к н з вытикают назыв- С-с током
Общий электрод от контактных областей назыв З(затвором).
Основные параметры:
1) Крутизна характеристики: к рутизна характеризует управляющее действие затвора. Этот параметр определяют по управляющим характеристикам
2) Внутреннее (выходное) сопротивление: Этот параметр представляет собой сопротивление транзистора между стоком и истоком (сопротивление канала) для переменного тока. На пологих участках выходных характеристик достигает сотен и оказывается во много раз больше сопротивления транзистора по постоянному току.
3) Коэффициент усиления: Коэффициент усиления показывает, во сколько раз сильнее действует на ток стока изменение напряжения затвора, нежели изменение напряжения стока.
4) Входное сопротивление: поскольку током затвора является обратный ток p-n-перехода, который очень мал, то входное сопротивление оказывается очень большим, что является основным достоинством полевого транзистора.
5) Входная емкость между затвором и истоком, которая является барьерной емкостью p-n-перехода и может составлять единицы – десятки в зависимости от способа изготовления полевого транзистора.
9)
10) Диод — двухэлектродный электронный прибор, обладает различной проводимостью в зависимости от направления электрического тока. Электрод диода, подключённый к положительному полюсу источника тока, когда диод открыт (то есть имеет маленькое сопротивление), называют анодом, подключённый к отрицательному полюсу — катодом.
Несмотря на интенсивное развитие микроэлектроники, дискретные полупроводниковые приборы, и в частности различные группы диодов, находят широкое применение в радиоэлектронной аппаратуре. Диоды широко используются для преобразования переменного тока в постоянный. Диоды в сочетании с конденсаторами применяются для выделения низкочастотной модуляции из амплитудно-модулированного радиосигнала или других модулированных сигналов. Диоды применяются также для защиты разных устройств от неправильной полярности включения и т. п. Применяются для коммутации высокочастотных сигналов.
11) Параллельное соединение нескольких конденсаторов. В этом случае напряжения, подводимые к отдельным конденсаторам, одинаковы: U1 = U2 = U3 = U. Заряды на обкладках отдельных конденсаторов: Q1 = C1U, Q2 = C2U, Q3 = C3U, а заряд, полученный от источника Q = Q1 + Q2 + Q3.
При последовательном соединении конденсаторов на обкладках отдельных конденсаторов электрические заряды по величине равны: Q1 = Q2 = Q3 = Q
Последовательное соединение резисторов:
Параллельное соединение резисторов:
Параллельное соединение индуктивности:
Последовательное соединение индуктивности:
12) Полупроводниковый диод — полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами (электродами). В отличие от других типов диодов, принцип действия полупроводникового диода основывается на явлении p-n-перехода.
Плоскостные p-n-переходы для полупроводниковых диодов получают методом сплавления, диффузии и эпитаксии.[1]
Основные характеристики и параметры диодов
Диод ДГ-Ц25. 1959 г.
Вольт-амперная характеристика
Постоянный обратный ток диода
Постоянное обратное напряжение диода
Постоянный прямой ток диода
Диапазон частот диода
Дифференциальное сопротивление
Ёмкость
Пробивное напряжение
Максимально допустимая мощность
Максимально допустимый постоянный прямой ток диода
13)
14) Маркировка резисторов с проволочными выводами
Маркировка(для годировки):
1)К-постоянный; КТ-подстроечный; КП-переменный;
2)Диэлектрик
3)Номер разработки
4)емкость
5)напряжение
6)допустимое отклонение
7)ТКЕ
Маркировки бывают и цветными
Резисторы, в особенности малой мощности — чрезвычайно мелкие детали. Прочитать на такой детали номинал с десятичной запятой невозможно. Поэтому, при указании номинала вместо десятичной точки пишут букву, соответствующую единицам измерения (К — для килоомов, М — для мегаомов, E или R для единиц Ом). Однако и в таком виде читать номиналы трудно. Поэтому, для особо мелких резисторов применяют маркировку цветными полосками.
Для резисторов с точностью 20 % используют маркировку с тремя полосками, для резисторов с точностью 10 % и 5 % маркировку с четырьмя полосками, для более точных резисторов с пятью или шестью полосками. Первые две полоски всегда означают первые два знака номинала. Если полосок 3 или 4, третья полоска означает десятичный множитель, то есть степень десятки, которая умножается на двузначное число, указанное первыми двумя полосками. Если полосок 4, последняя указывает точность резистора. Если полосок 5, третья означает третий знак сопротивления, четвёртая — десятичный множитель, пятая — точность. Шестая полоска, если она есть, указывает температурный коэффициент сопротивления (ТКС). Если эта полоска в 1,5 раза шире остальных, то она указывает надёжность резистора (% отказов на 1000 часов работы).
Следует отметить, что иногда встречаются резисторы с 5-ю полосами, но стандартной (5 или 10 %) точностью. В этом случае первые две полосы задают первые знаки номинала, третья — множитель, четвёртая — точность, а пятая — температурный коэффициент.
Для малогабаритных конденсаторов и резисторов кроме полной маркировки часто используют кодированное обозначение, которое состоит из букв и цифр, определяющих для конденсаторов: ТКЕ, номинальную емкость, допустимое отклонение емкости от номинала, рабочее напряжение.
На самих конденсаторах могут использоваться русские и латинские буквы для обозначения множителя величины:
П или р — пикофарады (10^(-12) Ф); Н или n — нанофарады (10^(-9) Ф);
М или (J,— микрофарады (10^(-6) Ф); И или m —миллифарады(10^(-3) Ф);
Ф или F — фарады.
Эти буквы используются в качестве запятых при указании дробных значений емкости, например: ЗНЗ или ЗnЗ — 3300 пФ (в резисторах аналогично).
15) УГО биполярных транзсторов 
16) Стабилитрон (диод Зенера) — полупроводниковый диод, предназначенный для поддержания напряжения источника питания на заданном уровне. По сравнению с обычными диодами имеет достаточно низкое регламентированное напряжение пробоя (при обратном включении) и может поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока.
В основе работы стабилитрона лежат два механизма:
Лавинный пробой p-n перехода
Туннельный пробой p-n перехода
Виды стабилитронов:
прецизионные — обладают повышенной стабильностью напряжения стабилизации,
двусторонние — обеспечивают стабилизацию и ограничение двухполярных напряжений, быстродействующие — имеют сниженное значение барьерной ёмкости и малую длительность переходного процесса, что позволяет стабилизировать и ограничивать кратковременные импульсы напряжения.
Параметры
Напряжение стабилизации — значение напряжения на стабилитроне при прохождении заданного тока стабилизации.
Температурный коэффициент напряжения стабилизации — величина, определяемая отношением относительного изменения температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации.
Дифференциальное сопротивление — величина, определяемая отношением приращения напряжения стабилизации к вызвавшему его малому приращению тока в заданном диапазоне частот.
Максимально допустимая рассеиваемая мощность — максимальная постоянная или средняя мощность, рассеиваемая на стабилитроне, при которой обеспечивается заданная надёжность.
Минимально допустимый ток стабилизации - минимальный ток, при котором гарантируется ввод p-n-перехода стабилитрона в режим устойчивого пробоя
17) Статестические характеристики полевых транзисторов:
риведены ВАХ полевых транзисторов, включенных по схеме с ОИ: с управляющим р-n-переходом (а, б); МДП-транзистора с индуцированным каналом (в, г) и МДП-транзистора со встроенным каналом (д, е) (все три типа транзисторов имеют канал n-типа). Основными характеристиками полевого транзистора являются: выходные (стоковые) – Iс = f(Uси) при Uзи = const и характеристики передачи (cток-затворные) – Iс = f(Uзи) при Uси = cоnst.
18 ) Рези́стор (англ. resistor, от лат. resisto — сопротивляюсь), — пассивный элемент электрической цепи, в идеале характеризуемый только сопротивлением электрическому току, то есть для идеального резистора в любой момент времени должен выполняться закон Ома для участка цепи: мгновенное значение напряжения на резисторе пропорционально току проходящему через него. На практике же резисторы в той или иной степени обладают также паразитной ёмкостью, паразитной индуктивностью и нелинейностью вольт-амперной характеристики.
По назначению:
резисторы общего назначения
резисторы специального назначения
высокоомные
высоковольтные
высокочастотные
прецизионные и сверхпрецизионные
По виду вольт-амперной характеристики:
линейные резисторы
нелинейные резисторы
варисторы
терморезисторы
фоторезисторы
тензорезисторы
магниторезисторы
По характеру изменения сопротивления:
Проволочный резистор
постоянные резисторы
переменные регулировочные резисторы
переменные подстроечные резисторы
По технологии изготовления:
Проволочные резисторы.
Высокоомные малогабаритные проволочные резисторы
Плёночные металлические резисторы
Металлофольговые резисторы.
Угольные резисторы.
Интегральный резистор.
19) p-n-Перехо́д (n — negative — отрицательный, электронный, p — positive — положительный, дырочный), или электронно-дырочный переход — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. p-n-Переход является основой для полупроводниковых диодов, триодов и других электронных элементов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.
20) Диод — двухэлектродный электронный прибор, обладает различной проводимостью в зависимости от направления электрического тока. Электрод диода, подключённый к положительному полюсу источника тока, когда диод открыт, называют анодом, подключённый к отрицательному полюсу — катодом.
Диоды широко используются для преобразования переменного тока в постоянный, применяется в автомобильных генераторах. В высоковольтных выпрямителях применяются селеновые высоковольтные столбы из множества последовательно соединённых селеновых выпрямителей и кремниевые высоковольтные столбы из множества последовательно соединённых кремниевых диодов.
Осн. Пареметры диода:
1) Максимально допустимый прямой ток
2) Максимально допустимый обратный ток
3) Импульсное прямое напряжение
4) Импульсное обратное напряжение
5) температура
21) ВАХ стабилитрона.
22) Классификация полевых транзисторов
По физической структуре и механизму работы полевые транзисторы условно делят на 2 группы. Первую образуют транзисторы с управляющим р-n переходом или переходом металл — полупроводник (барьер Шоттки), вторую — транзисторы с управлением посредством изолированного электрода (затвора), т. н. транзисторы МДП (металл — диэлектрик — полупроводник).
УГО полевого транзистора с p-n-переходом и каналом n-типа
УГО полевого транзистора с p-n-переходом и каналом p-типа
УГО полевого транзистора со встроенным p-каналом обедненного типа
УГО полевого транзистора со встроенным n-каналом обогащенного типа
УГО полевого транзистора с индуцированным p-каналом обогащенного типа
УГО полевого транзистора с индуцированным n-каналом обогащенного типа
23) вольтамперная характеристика полупроводникового диода с р — n-переходом: U — напряжение на диоде; I — ток через диод; U*oбр и I*oбр — максимальное допустимое обратное напряжение и соответствующий обратный ток; Ucт — напряжение стабилизации.
ВАХ
24) Пассивные элементы электроники
Резисторы - это наиболее распространенные компоненты электронной аппаратуры, с помощью которых осуществляется регулирование и распределение электрической энергии между цепями и элементами схем.
Конденсаторы по применению в электронной аппаратуре занимают второе место после резисторов. Принцип работы конденсаторов основан на их способности накапливать электрический заряд на обкладках при приложении к ним разности потенциалов. К основным параметрам конденсаторов относятся номинальное значение емкости конденсатора и допустимое отклонение действительной емкости от номинального значения
Катушками индуктивности называют элементы аппаратуры, предназначенные для запасания энергии электромагнитного поля.
Трансформатор – это электромагнитное устройство, имеющее две или более индуктивно связанные обмотки, которое предназначено для преобразования посредством электромагнитной индукции одной или нескольких систем переменного тока в одну или несколько других систем переменного тока.
Активные элементы электроники:
Полупроводниковым диодом – называют электропреобразовательный прибор с двумя выводами, принцип действия которого основан на использовании свойств ЭДП.
Выпрямительные диоды – для преобразования переменного тока в постоянный. В качестве основных материалов используются – кремний и германий.
Стабилитроны (опорные диоды) предназначены для поддержания неизменного напряжения (напряжения стабилизации) при больших изменениях тока. Стабилитроны работают при отрицательном смещении на р-п переходе при U = Uобр.
Тиристоры –полупроводниковые приборы,основанные на трех - переходной диодной структуре, подразделяются на три основные типа:динисторы, тринисторы (чаще называются просто тиристорами) и симисторы.
Разновидность тринистора – симистор обладает симметричной характеристикой в первом и третьем квадрантах, таким образом, симистор способен коммутировать переменный ток в нагрузке.
Биполярный транзистор (БТ) – полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на взаимодействии близкорасположенных ЭДП.
Светодиоды – приборы с р-п переходом, которые излучают свет при прохождении через них прямого тока.
25) 1)Направление от плюса к минусу будет считаться прямым а от минуса к плюсу – обратным.
2)Прямое включение - когда диод пропускает, обратное - когда не пропускает..
3)Прямое: (+) -I>I- (-) при таком включении ток через диод идет
обратное: (-) -I>I- (+) при таком не идет
в скобках полярность напряжения
26) Электрический пробой — лавинный пробой, связанный с тем, что носитель заряда на длине свободного пробега приобретает энергию, достаточную для ионизации молекул кристаллической решётки или газа и увеличивает концентрацию носителей заряда.
Лавинный пробой — электрический пробой в диэлектриках и полупроводниках, связанный с тем, что в сильном электрическом поле носители заряда могут приобретать энергию, достаточную для ударной ионизации атомов или молекул материала. В результате каждого такого столкновения возникает пара противоположно заряженных частиц, одна или обе из которых также начинают участвовать в ударной ионизации. По этой причине нарастание числа участвующих в ударной ионизации носителей происходит лавинообразно, отсюда и название пробоя.
Туннельный пробой – это электрический пробой p-n-перехода, вызванный туннельным эффектом. Он происходит в результате непосредственного отрыва валентных электронов от атомов кристаллической решетки полупроводника сильным электрическим полем.
Пробой в диоде происходит на 3-ем участке. Нужно смотреть Вах диода.
27) Электроника прошла несколько этапов развития, за время которых сменилось несколько поколений элементной базы. Зарождение электроники было подготовлено всем ходом развития промышленного производства в конце XIX начале XX в. Каждое поколений, появившись в определенный момент времени, продолжает совершенствоваться. Развитие изделий электроники от поколения к поколению идет в направлении их функционального усложнения, повышения надежности и срока службы, уменьшения габаритных размеров, массы, стоимости и потребляемой энергии.
К начальному этапу развития относится изобретение в 1809 году русским инженером Ладыгиным лампы накаливания.
Открытие в 1874 году немецким ученым Брауном выпрямительного эффекта в контакте металл–полупроводник.
Датой изобретения радио принято считать 7 мая 1895 г., когда Попов выступил с докладом и демонстрацией на заседании в Петербурге.
Значительным этапом в развитиибыли изобретения в 1904 году англичанином Я.Флемингом двухэлектродного электровакуумного прибора-диода и применение его в качестве детектора в радиоприемных устройствах.
1913 – 1919 годы – период резкого развития электронной техники. В 1913 г. Немецкий инженер Мейснер разработал схему лампового регенеративного приемника и с помощью триода получил незатухающие гармонические колебания. В России первые радиолампы были изготовлены в 1914 году в Санкт–Петербурге консультантом русского общества беспроволочного телеграфирования Николаем Дмитриевичем Папалекси, будущим академиком АН СССР.
Следующий период развития электроники – это период создания и внедрения дискретных полупроводниковых приборов. В 1946 году при лаборатории "Белл Телефон" была создана группа во главе с Уильямом Шокли. Группа проводила как теоретические, так и экспериментальные исследования физических процессов на границе раздела двух полупроводников с различными типами электрической проводимости. В итоге были изобретены: трехэлектродные полупроводниковые приборы – транзисторы. В зависимости от количества носителей заряда транзисторы были разделены на:
– униполярные (полевые), где использовались однополярные носители;
– биполярные, где использовались разнополярные носители (электроны и дырки).
в 1948 году – в США была сделана первая ЭВМ на радиолампах – ЭНИАК.
В конце 60-х годов появились первые изделия микроэлектроники-интегральные схемы, которые быстро совершенствовались и стали основными изделиями электроники.
В настоящее время микроэлектроника переходит на качественно новый уровень – наноэлектронику.
Современный этап развития техники характеризуется все возрастающим проникновении электроники во все сферы жизни и деятельности людей.
28) Стабилитрон (диод Зенера) — полупроводниковый диод, предназначенный для поддержания напряжения источника питания на заданном уровне. По сравнению с обычными диодами имеет достаточно низкое регламентированное напряжение пробоя (при обратном включении) и может поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока.
Параметры
Напряжение стабилизации — значение напряжения на стабилитроне при прохождении заданного тока стабилизации.
Температурный коэффициент напряжения стабилизации — величина, определяемая отношением относительного изменения температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации.
Дифференциальное сопротивление — величина, определяемая отношением приращения напряжения стабилизации к вызвавшему его малому приращению тока в заданном диапазоне частот.
Максимально допустимая рассеиваемая мощность — максимальная постоянная или средняя мощность, рассеиваемая на стабилитроне, при которой обеспечивается заданная надёжность.
Минимально допустимый ток стабилизации - минимальный ток, при котором гарантируется ввод p-n-перехода стабилитрона в режим устойчивого пробоя
УГО
29) Все элементы электрической цепи условно можно разделить на активные и пассивные. Активным называется элемент, содержащий в своей структуре источник электрической энергии. К пассивным относятся элементы, в которых рассеивается (резисторы) или накапливается (катушка индуктивности и конденсаторы) энергия. К основным характеристикам элементов цепи относятся их вольт-амперные, вебер-амперные и кулон-вольтные характеристики, описываемые дифференциальными или (и) алгебраическими уравнениями. Если элементы описываются линейными дифференциальными или алгебраическими уравнениями, то они называются линейными, в противном случае они относятся к классу нелинейных. Строго говоря, все элементы являются нелинейными.
Активные-усиливают сигнал.
Пассивные- в них нет усилителей
30) Маркировка - это некоторые условные обозначения, с помощью которых вы можете определить номинальные значения и параметры резистора.
Резисторы, в особенности малой мощности — чрезвычайно мелкие детали. Прочитать на такой детали номинал с десятичной запятой невозможно. Поэтому, при указании номинала вместо десятичной точки пишут букву, соответствующую единицам измерения (К — для килоомов, М — для мегаомов, E или R для единиц Ом). Однако и в таком виде читать номиналы трудно. Поэтому, для особо мелких резисторов применяют маркировку цветными полосками.
Для резисторов с точностью 20 % используют маркировку с тремя полосками, для резисторов с точностью 10 % и 5 % маркировку с четырьмя полосками, для более точных резисторов с пятью или шестью полосками. Первые две полоски всегда означают первые два знака номинала. Если полосок 3 или 4, третья полоска означает десятичный множитель, то есть степень десятки, которая умножается на двузначное число, указанное первыми двумя полосками. Если полосок 4, последняя указывает точность резистора. Если полосок 5, третья означает третий знак сопротивления, четвёртая — десятичный множитель, пятая — точность. Шестая полоска, если она есть, указывает температурный коэффициент сопротивления (ТКС). Если эта полоска в 1,5 раза шире остальных, то она указывает надёжность резистора (% отказов на 1000 часов работы).
Следует отметить, что иногда встречаются резисторы с 5-ю полосами, но стандартной (5 или 10 %) точностью. В этом случае первые две полосы задают первые знаки номинала, третья — множитель, четвёртая — точность, а пятая — температурный коэффициент.
31) Стабилитрон (диод Зенера) — полупроводниковый диод, предназначенный для поддержания напряжения источника питания на заданном уровне. По сравнению с обычными диодами имеет достаточно низкое регламентированное напряжение пробоя (при обратном включении) и может поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока.
Принцип работы стабилитрона заключается в прекращении его работы при определенном напряжении. Например, когда обычное прямое падение напряжения резко увеличивается, превышая порог в 0,6В, стабилизирующий диод открывается и за счет сопротивления формирует напряжение нужного параметра. Как только напряжение снижается до значения меньше порогового, он закрывается и дальше не принимает участие в работе электрической цепи. Пробой p-n перехода стабилитрона не приводит к выходу прибора из строя, как у обычного диода, если только проходящий при этом через него ток не превышает максимально допустимого значения. В зависимости от типа, различные приборы могут формировать напряжение стабилизации от 2 до 300В. При этом в справочниках также указываются параметры, при которых стабилизирующие диоды способны нормально функционировать.
Принцип работы полупроводникового стабилитрона мало отличается от принципа работы полупроводникового диода. Известно, что диод при подаче на него напряжения в обратном направлении практически не пропускает ток. Но если это напряжение чрезмерно увеличить, то произойдет пробой. Если для обычных диодов это напряжение десятки и сотни вольт, то для стабилитронов, в которых используется этот эффект, напряжение пробоя путем специальной технологии делают небольшим.
Диод — двухэлектродный электронный прибор, обладает различной проводимостью в зависимости от направления электрического тока. Электрод диода, подключённый к положительному полюсу источника тока, когда диод открыт, называют анодом, подключённый к отрицательному полюсу — катодом.
32) Маркировка(для годировки):
1)К-постоянный; КТ-подстроечный; КП-переменный;
2)Диэлектрик
3)Номер разработки
4)емкость
5)напряжение
6)допустимое отклонение
7)ТКЕ
Маркировки бывают и цветными
Резисторы, в особенности малой мощности — чрезвычайно мелкие детали. Прочитать на такой детали номинал с десятичной запятой невозможно. Поэтому, при указании номинала вместо десятичной точки пишут букву, соответствующую единицам измерения (К — для килоомов, М — для мегаомов, E или R для единиц Ом). Однако и в таком виде читать номиналы трудно. Поэтому, для особо мелких резисторов применяют маркировку цветными полосками.
Для резисторов с точностью 20 % используют маркировку с тремя полосками, для резисторов с точностью 10 % и 5 % маркировку с четырьмя полосками, для более точных резисторов с пятью или шестью полосками. Первые две полоски всегда означают первые два знака номинала. Если полосок 3 или 4, третья полоска означает десятичный множитель, то есть степень десятки, которая умножается на двузначное число, указанное первыми двумя полосками. Если полосок 4, последняя указывает точность резистора. Если полосок 5, третья означает третий знак сопротивления, четвёртая — десятичный множитель, пятая — точность. Шестая полоска, если она есть, указывает температурный коэффициент сопротивления (ТКС). Если эта полоска в 1,5 раза шире остальных, то она указывает надёжность резистора (% отказов на 1000 часов работы).
Следует отметить, что иногда встречаются резисторы с 5-ю полосами, но стандартной (5 или 10 %) точностью. В этом случае первые две полосы задают первые знаки номинала, третья — множитель, четвёртая — точность, а пятая — температурный коэффициент.
Для малогабаритных конденсаторов и резисторов кроме полной маркировки часто используют кодированное обозначение, которое состоит из букв и цифр, определяющих для конденсаторов: ТКЕ, номинальную емкость, допустимое отклонение емкости от номинала, рабочее напряжение.
На самих конденсаторах могут использоваться русские и латинские буквы для обозначения множителя величины:
П или р — пикофарады (10^(-12) Ф); Н или n — нанофарады (10^(-9) Ф);
М или (J,— микрофарады (10^(-6) Ф); И или m —миллифарады(10^(-3) Ф);
Ф или F — фарады.
Эти буквы используются в качестве запятых при указании дробных значений емкости, например: ЗНЗ или ЗnЗ — 3300 пФ (в резисторах аналогично).
Дата добавления: 2015-07-18; просмотров: 1008 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Исследование регулировочных характеристик однофазного управляемого выпрямителя при работе на активно-индуктивную нагрузку с противо-э.д.с. и обратным диодом. | | | Ижевск 2012 |