Список терминов.

Bit – бит -минимальная единица хранения и передачи информации для любой цифровой техники, соответствует логическому устройству, имеющему только два возможных состояния - 0 или 1. Обозначается строчной буквой b.

Cache – кэш. Буфер обмена между медленным устройством хранения данных и более быстрым. Принцип его действия основан на том, что простой более быстрого устройства сильно влияет на суммарную производительность, а также - что с наибольшей вероятностью запрашиваются данные, сохраненные сравнительно недавно. Поэтому между устройствами помещают небольшой (по сравнению со всеми хранимыми данными) буфер быстрой памяти, что позволяет снизить потери быстрого устройства как на записи, так и на чтении.

CAS (Column Access Strobe) - сигнал, поданный на линию CAS микросхемы, означает, что через адресные линии вводится адрес столбца.

CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) - технология полупроводникового производства, энергозависимая память, применяемая для хранения установок BIOS.

DDR (Double Data Rate) = SDRAM II

DIMM (Dual In-Line Memory Module) - наиболее современная разновидность форм-фактора модулей памяти. Отличается от SIMM тем, что контакты с двух сторон модуля независимы (dual), что позволяет увеличить соотношение ширины шины к геометрическим размерам модуля. Наиболее распространены 168-контактные DIMM (ширина шины 64 бит), устанавливаемые в разъем вертикально и фиксируемые защелками. В портативных устройствах широко применяются SO DIMM.

DRAM (Dynamic RAM – динамическая память с произвольным доступом) – получила название по принципу действии своих ячеек, которые выполнены в виде конденсаторов, образованных элементами полупроводниковых микросхем. При отсутствии обращения к ячейке конденсатор за счет токов утечки разряжается, поэтому такая память требует периодической перезарядки (обращения к каждой ячейке) – память может работать только в динамическом режиме.

DRAM (Dynamic RAM) - динамическая память - разновидность RAM, единичная ячейка которой представляет собой конденсатор с диодной конструкцией. Наличие или отсутствие заряда конденсатора соответствует единице или нулю. Основной вид, применяемый для оперативной памяти, видеопамяти, а также различных буферов и кэшей более медленных устройств. По сравнению со SRAM заметно более дешевая, хотя и более медленная по двум причинам - емкость заряжается не мгновенно, и, кроме того, имеет ток утечки, что делает необходимой периодическую подзарядку.

DRAM module - модуль памяти - устройство, представляющее собой печатную плату с контактами, на которой расположены чипы памяти (иногда заключенное в корпус), и представляющее собой единую логическую схему. Помимо чипов памяти может содержать и другие микросхемы, в том числе шунтирующие резисторы и конденсаторы

EDO DRAM (Extended Data Out - растянутый вывод данных) - разновидность асинхронной DRAM. Представляет собой дальнейшее развитие метода fast page по «конвейерной» схеме - линии ввода-вывода остаются какое-то время открытыми для чтения данных в процессе обращения к следующему адресу, что позволяет организовать цикл доступа более оптимально.

EEPROM (Electric EPROM – репрограммируемая память только для чтения с электрическим стиранием) – разновидность EPROM, стирание информации в которой происходит под воздействием напряжения.

Дата добавления: 2015-07-08