Читайте также:
|
|
Для повышения производительности памяти используется так называемое чередование банков или адресов.
Банк памяти– совокупность микросхем или модулей памяти, обеспечивающих для данной системы разрядность хранимых данных (шины данных микропроцессора). Для функционирования компьютера необходимо наличие в системе хотя бы одного банка памяти Банк памяти может состоять из нескольких модулей памяти или один модуль памяти может включать несколько банков памяти. Суть заключается в распределении последовательных адресов между несколькими банками памяти (рисунок 10), в данном случае используется два банка памяти.
В самом простом изложении, можно сказать, что после осуществления любой операции со строкой памяти, требуется определенное время для осуществления ее «подзарядки». И преимущество «многобанковых» микросхем заключается в том, что можно обращаться к строке одного банка, пока строка другого банка находится на «подзарядке». Можно расположить данные в памяти и организовать к ним доступ таким образом, что далее будут запрашиваться данные из второго банка, уже «подзаряженного» и готового к работе. В этот момент вполне естественно «подзаряжать» первый банк, и так далее. Такая схема доступа к памяти называется «доступом с чередованием банков» (Bank Interleave).
![]() ![]() ![]() ![]() |
![]() |
Обращение возможно к каждому из банков памяти по отдельности, для чего каждый имеет свои сигналы RAS и CAS, но при этом используются общая адресная шина. Временная диаграмма чтения при чередовании адресов между двумя банками будет иметь вид приведенный на рисунке 11.
![]() |
Сигналы RAS0, CAS0 и RAS0, CAS0 относятся к первому и второму банку памяти соответственно.
Для сигналов RAS и CAS определено время, которое они должны находиться в высоком состоянии или время предварительного заряда сигналов RAS и CAS. При использовании двух банков выигрыш в производительности достигается за счет того, что пока сигнал CAS нулевого банка подзаряжается, происходит считывание ячейки из первого банка и наоборот. В данном случае D1, D3 – ячейки считанные из нулевого банка памяти, D2, D4 – из первого.
Дата добавления: 2015-07-08; просмотров: 397 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Классическая память DRAM. | | | Память Direct Rambus DRAM. |