Читайте также:
|
|
Полевые транзисторы.
Полевой транзистор – полупроводниковый прибор, в котором выходной ток управляется входным напряжением. Входное напряжение создает электрическое поле, влияющее на выходной ток, поэтому транзистор называется полевым.
В полевых транзисторах ток создается основным видом носителей, а неосновные носители не играют существенной роли. Поэтому полевые транзисторы называют униполярными, в отличие от обычных, биполярных транзисторов. Процессы инжекции и диффузии отсутствуют, основным видом движения является дрейф в электрическом поле.
Управление током осуществляется с помощью электрического поля, поперечного к направлению дрейфа носителей. Управляющий электрод, создающий это поле, называется затвором.
Проводящий слой, по которому проходит рабочий ток, называется каналом. Существуют p- канальные и n -канальные транзисторы. Область, откуда носители поступают в канал, называется истоком, область, куда они выходят из канала, - стоком. Исток и сток в принципе обратимы.
Условные обозначения транзисторов приведено на рис.22
Входное сопротивление полевых транзисторов для постоянного тока и низкой частоты переменного тока может быть очень большим: 108-1015 Ом.
Полевой транзистор с управляющим р-n переходом
Устройство полевого транзистора с управляющим р-n- переходом с n-каналом показано на рис.23 а. Канал сформирован в слаболегированном эпитаксиальном слое n-типа, выращенном на подложке p+ -типа (верхним индексом + обозначаются сильнолегированные области), в котором далее созданы область затвора p+- типа, ограничивающая канал сверху, и области истока и стока n+- типа, p-n -переход канал-подложка служит для изоляции канала от подложки и установки начальной толщины канала. Подложка обычно соединяется с истоком, но может иметь также отдельный вывод и служить вторым управляющим электродом.
Устройство ПТ с p -каналом аналогично, лишь тип проводимости областей меняется на противоположный, соответственно, меняется и полярность напряжений, прилагаемых к электродам.
Принцип действия ПТ основан на изменении сечения проводящего канала и, следовательно, его проводимости при подаче на затвор обратного смещения. При этом р-n -переход затвор–канал расширяется в сторону канала и уменьшается высота канала. Изменение проводимости канала приводит к изменению тока стока IС, протекающего по каналу под действием напряжения UCИ, приложенного между истоком и стоком.
Транзисторы с металло-полупроводниковым затвором (затвором Шоттки) имеют такой же принцип действия, как и транзисторы с р-п-затвором, отличие состоит лишь в том, что обедненный слой располагается непосредственно у поверхности полупроводника.
Дата добавления: 2015-07-08; просмотров: 271 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Среднеквадратическое (стандартное) отклонение (standard deviation) | | | Теория транзистора с р-п- затвором |