Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Импульсный режим работы транзистора.

Читайте также:
  1. I. Демократия как тип политического режима.
  2. I. Итоговая государственная аттестация включает защиту бакалаврской выпускной квалификационной работы
  3. I. Назначение и принцип работы зубофрезерных станков, работающих червячной фрезой
  4. I. Перед началом работы.
  5. I.1 Этапы работы над документом
  6. II. Дополнительные сигналы командиру вертолета в режиме висения
  7. II. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ДЛЯ ВЫПОЛНЕНИЯ САМОСТОЯТЕЛЬНОЙ РАБОТЫ

На примере ключа

 

Схема выполняет функцию инвертора. Находится в двух состояниях.

С точки зрения логических схем. существуют 1 и 0. U­1 = Ес и 0 – U0.

1. На вход подается логическая единица – U­1 = Ес. Транзистор открыт – на выходе – логический 0 – U0. Для надежной работы логики требуется U0 < Uпор. Для этого нужно Ес/Rc<<Iнас. Тогда

U0 ~ 1/KRc. К – удельная крутизна. Ic = K(Uзи – Uпор)Uси. (Делитель)

2. На вход подается логический 0. Поскольку его напряжение меньше порогового, транзистор закрыт. На выходе логическая единица.

Входной и выходной импульсы напряжения:

В момент t1 транзистор включается. Считают, что канал и др. мгновенно. Происходит разряд емкости Сн через канал.

При t2 канал исчезает, и ток стока обращается в 0. Происходит заряд емкости через сопротивление Rc.

Время t2 >> t1. Для его уменьшения нужно брать Rc поменьше. Но тогда придется увеличить ток насыщения (см. формулу выше). Увеличится мощность.

В дискретных транзисторах время нарастания 10нс, время спала 100нс. В интегральных на 1 – 2 порядка лучше. Но тем не менее многовато. Для уменьшение делают комплементарные схемы.

 

 


Дата добавления: 2015-07-08; просмотров: 219 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Обеднение | Пороговое напряжение. | Механизм образования канала и протекание тока. |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Частотные свойства МДП-транзисторов и модели.| ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.008 сек.)