Читайте также:
|
|
Так же, как в случае БТ, возможны три схемы включения полевых транзисторов в качестве усилителей. Наиболее широко применяется схема с общим истоком (ОИ), упрощенная схема которого приведена на рис.29.
В цепь затвора подается постоянное напряжение EЗ и напряжение усиливаемого сигнала Uвх. Выходное напряжение складывается из постоянной составляющей и переменного напряжения Uвых.
На рис.30 приведено семейство выходных характеристик транзистора и проведена нагрузочная прямая в соответствии с уравнением UСИ = EС – RС IС (EС = 10 В, R = 4 кОм ). Рабочая точка А при Uвх =0 соответствует EЗ= 3 В. Если на входе действует гармонический сигнал низкой частоты с амплитудой Um вх, рабочая точка движется вдоль нагрузочной прямой. Крайние точки B и С определяются пересечением нагрузочной линии со статическими характеристиками, соответствующими напряжениям U′′ЗИ=U0ЗИ+Umвх и U′ЗИ=U0ЗИ – Um вх. Точки B и С определяют амплитуды выходного тока и выходного напряжения. На рис.31 показаны соответствующие точки на характеристиках передачи.
Из графика рис.30 находится коэффициент усиления по напряжению. Поскольку амплитуды положительных и отрицательных полуволн Uвых несколько отличаются (есть некоторые нелинейные искажения), нужно брать отношение разностей максимального и минимального напряжений (коэффициент усиления по первой гармонике):
В нагруженном режиме к уравнению (65), связывающему приращение тока с приращениями напряжений, добавляется еще одно:
Δ UСИ= –RC· Δ IС,
Из этих двух уравнений находится связь коэффициента усиления со статическими параметрами:
(73)
Отсюда видно, что чем больше сопротивление RC, тем больше коэффициент усиления. Однако с увеличением RC (при EC=const) рабочая точка смещается в сторону малых напряжений U0CИ (см. штриховую линию на рис.30, соответствующую RC =10 кОм) и может попасть в крутую область выходных характеристик. Тогда крутизна, а следовательно, и коэффициент усиления снижаются. Поэтому при увеличении RC надо одновременно повышать напряжение EC . Максимальное значение EC ограничено допустимой рассеиваемой мощностью и пробоем стокового перехода.
Дата добавления: 2015-07-08; просмотров: 124 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Частотные свойства полевых транзисторов. | | | Польові транзистори з р-n переходом |