Выходные характеристики полевого транзистора.

2.1. Соберите схему исследования выходных характеристик, аналогичную предыдущей схеме (см. рисунок 2).

2.2. Установите диапазон регулирования источника E1 U_з0..+1 В, источника E2 0..+10 В. По вертикальной оси графопостроителя выбрать миллиамперметр mA1, диапазон: нижняя граница 0, верхняя +10 мА, по горизонтальной оси графопостроителя выбрать V2, диапазон: левая граница 0, правая граница +10 В. Пределы вертикальной шкалы можно скорректировать после измерения характеристик.

2.3. Снять семейство выходных характеристик полевого транзистора I_с = f(U_СИ) для различных фиксированных напряжений затвора U_зи.

Рекомендуется выбрать: U_зи1 = 0 В, U_зи2 = 0,2•U_з0, U_з3 = 0,4•U_з0, U_зи4 = 0,6•U_з0, U_зи5 = 0,8•U_з0, U_зи6 = U_з0. Выходная характеристика получается путем регулирования E2 от 0 до 10 В.

2.4. Нарисуйте семейство ВАХ на миллиметровке.

Обработка результатов эксперимента.

3.1. Рассчитайте параметры исследуемого полевого транзистора по его характеристикам (см. Приложение):

а) Крутизну передаточной характеристики:

S=(ΔI_C)/(ΔU_ЗИ), мА/В при ΔU_СИ=0 (U_СИ=const);

б) Внутреннее дифференциальное сопротивление:

r_i = (ΔU_СИ)/(ΔI_C), Ом при ΔU_ЗИ =0 (U_ЗИ =const);

3.2. Рассчитайте параметры исследуемого полевого транзистора в режиме усилителя малого сигнала:

а) Предельный коэффициент усиления по напряжению

K_U=S· r_i.

б) Коэффициент усиления по напряжению графический K_UГ с использованием нагрузочной прямой по формуле (см. Приложение):

K_UГ = (ΔU_СИ)/(ΔU_ЗИ)= (ΔU_ВЫХ)/(ΔU_ВХ).

б) Коэффициент усиления по напряжению аналитический K_UА с учетом внутреннего сопротивления по формуле:

K_UА = S· .

в) Сравните K_U, K_UГ и K_UА.

---

Дата добавления: 2015-07-08