Читайте также: |
|
Различают две основных группы методов электронно-лучевой обработки: поверхностные и объемные. Начиная с некоторой удельной энергии первичного электронного пучка Ре ~ 106 Вт/см2, скорость выделения тепла все больше превышает скорость ее отвода за счет теплопроводности, теплового излучения и испарения вещества с поверхности, что приводит к возрастанию температуры облученного участка.
В результате свойства материала меняются и уже нельзя пользоваться закономерностями, установленными для маломощных потоков. В этом случае процесс проникновения электронов в образец имеет определённые характерные особенности:
1) максимальная глубина проникновения электронов зависит от удельной мощности пучка и от времени облучения. Эта глубина может в 1000 раз превышать траекторный пробег электронов. В месте облучения на поверхности твердого тела образуется лунка.
2) плотность вещества в зоне обработки становится меньше, чем вне ее, а сама форма лунки имеет не сферическую, а «кинжальную» (коническую) форму, сильно вытянутую в направлении первичного пучка.
3) при облучении листового материала толщиной до нескольких сантиметров через несколько мкс после включения электронного пучка с обратной стороны места облучения появляется ток электронов, прошедших сквозь лист (сквозной ток). Энергия электронов на выходе почти не отличается от начальной, даже тогда, когда не происходит проплавление.
При достаточно высоких Ре температура в зоне выделения максимальной мощности повышается до температуры плавления и в приповерхностной области начинает образовываться ванночка расплава (лунка).
Рис.2.4. Ванна расплава при обработке электронным лучом
На поверхности расплава при этом действуют следующие силы: давление электронного пучка Fe, которое прогибает ванну расплава и вытесняет расплав из зоны расплава, Fr − реактивное давление (реактивная отдача испаряющихся с поверхности атомов вещества, Fr тоже вытесняет расплав из кратера ванны расплава. Этим силам противодействуют силы: поверхностного натяжения – Fs и силы Fh гидростатического давления столба расплава, вытесненного из кратера.
Форма кратера, т.е. его глубина hk и радиус кратера Rk, будут определяться балансом действующих сил
Fe + Fr = FS + Fh, (2.38)
где Fe = j1me νe/е = 1,06
Е1 – энергия электронов;
νe – скорость электронов.
Ре – удельная мощность электронов, поглощаемой в единице объема,
Fr = Vисп∙Vср =
Vисп – скорость испарения вещества,
Vср – средняя тепловая скорость испаряющихся атомов,
Ps – упругость паров (давление) при температуре расплава,
Fs = ,
Fh = ,
- коэффициент поверхностного натяжения,
- удельный вес материала.
Поскольку экспоненциально возрастает с ростом , то Fr зависит от значительно сильнее, чем Fe. При сравнительно малых P суммах давлений
< (2.39)
и заметного искривления лунки не происходит. С ростом удельной мощности электронного пучка Fs оказывается недостаточным, чтобы удержать поверхность и начинается образовываться кратер (лунка).
Рис.2.4. Форма кратера при больших мощностях излучения
его кривизны – уменьшаться. При и изменение кривизны поверхности прекращается. При этом возрастанию давления противостоит только увеличение Fh и углубление кратера происходит быстрее.
Рис.2.5. Форма капилляра при кинжальном проплавлении
В результате образуется капилляр с жидкими стенками (Рис.2.5). При этом в капилляре устанавливается давление пара, близкое по значению к , что способствует удержанию жидких стенок в вертикальном положении. Так происходит проплавление веществ с большой плотностью. В легких материалах возможно образование пузырей на значительной глубине и, как результат, вспучивание вышерасположенных слоёв материала.
При экстремально больших значениях Pe скорость нагрева становится на- столько большой, что расплавившейся материал полностью испаряется еще до того, как он сможет быть выброшен из зоны обработки. Время пребывания вещества в расплавленном состоянии не превышает в этом случае долей миллисекунды. Такая форма удаления материала называется квазисублимацией. Надо отметить, что образование парового канала радикально изменяет пространственное распределение поглощенной в образце мощности.
При этом нужно учитывать, что
1) при наличии парового капилляра электроны в твердом теле основную часть пути проходят в паре, т.е. в среде с малой плотностью г/см . Это приводит к уменьшению удельных потерь энергии и возрастанию глубины проникновения электронов.
2) основная тепловая нагрузка приходится на одного капилляра. Кроме того, ионизация частиц пара электронами приводит к фокусировке пучка вследствии компенсации его пространственного заряда положительными ионами. Это способствует развитию "кинжальной" формы канала.
3) при глубине практически все обратно рассеянные электроны поглощаются стенками канала и доля уносимой энергии Wή стремится к нулю. Тепловая нагрузка на стенки капилляра возрастает и за счет первичных электронов, испытавших в капилляре рассеяние на частицах пар.
Дата добавления: 2015-10-24; просмотров: 282 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Распределение температуры при электронной обработке по поверхности и глубине твёрдого тела. | | | Электронно-лучевая сварка |