Читайте также:
|
Электронно-дырочный или p-n-переход -область на границе двух полупроводников с различными типами электропроводности, т.е. p-n переход образуется между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электронную электропроводность, а другая дырочную электропроводность (рис. 4.4).
Пусть имеется пластина кремния (или германия). Одна часть ее объема n-типа, содержит донорную примесь, т.е. обладает электронной проводимостью, а другая р-типа, т.е. обладает дырочной проводимостью.
Поверхность, по которой контактируют слои р и n, называется металургической границей, а прилегающая к ней область - р-п-переходом.
p-n переходы классифицируют по резкости металлургической границы и по соотношению удельных сопротивлений слоев:
** ступенчатые переходы - переходы с идеальной границей, по одну сторону которой располагаются доноры с постоянной концентрацией, а по другую - акцепторы с постоянной концентрацией;
** плавные переходы - переходы у которых в районе металлургической границы концентрация одного типа примеси постепенно уменьшается, а другого типа - растет.
** p-n-переход называется симметричным, если концентрация р и п носителеи в соответствующих слоях одинакова.
Симметричные переходы не типичны для полупроводниковой техники. Главное распространение имеют несимметричные переходы, у которых концентрации р и n носителей не одинаковы.
Рис. 4.4 p-n переход
Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 54 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Возникновение ЭДС в однородном полупроводнике при его освещении | | | P-n-переход в равновесном состоянии |