Читайте также:
|
|
На рис. 4.6 в изображен случай, если изменить полярность внешнего источника.
Напряженность результирующего поля Е рез на переходе увеличится (внешнее и диффузионное поля направлены в одну сторону).
Е рез = Е зап + Евнеш(4.15)
Дрейфовый ток увеличится, а диффузионный ток уменьшится, в результате чего, динамическое равновесие нарушится и также возникнет ток через р-n переход.
Высота и ширина потенциального барьера увеличится и станет равной:
q(fk + Uвнеш) (4.16)
Ширина p-n перехода при этом увеличивается.
Электроны из слоя n будут двигаться от границы слоев к положительному полюсу внешнего источника, а дырки из слоя р к отрицательному полюсу. Т.о., и свободные электроны, и дырки будут уходить от границы слоев.
В результате между слоями образуется область, в которой не остается ни электронов, ни дырок. Ток (диффузионный) через p-n-переход не пойдет.
При обратном напряжении толщина p-n перехода возрастает не пропорционально напряжению и в нем преобладает дрейфовое движение носителей по сравнению с диффузионным: дырки из n - области и электроны из p - области вследствие теплового хаотического движения могут попасть в область перехода, где они попадают в ускоряющее поле, переносящее их в соседнюю область.
В результате уменьшается концентрация неосновных носителей у границ перехода - это явление называется экстракцией неосновных носителей
В цепи в этом случае будет проходить ток, этот ток небольшой, называется он обратным током. Он обусловлен наличием в слое n некоторого числа неосновных носителей - дырок, а в слое р - свободных электронов, которые будут проникать в пограничную область и поддерживать ток через переход.
Этот обратный ток, будет на несколько порядков меньше прямого тока:
1обр «1пр, при этом Iпр[ мА ], а Iобр[ мкА ]
Из рассмотренных случаев следует, что направление внешнего поля определяет вентильные свойства p-n-перехода, т.е. способность проводить ток в одном направлении в зависимости от полярности приложенного напряжения.
Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 45 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Прямосмещенный переход | | | Основные параметры оптронов |