Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Обратносмещенный переход

Ударная ионизация | Туннелирование | Фоторезистивный эффект | Возникновение ЭДС в однородном полупроводнике при его освещении | Образование электронно - дырочного перехода. | P-n-переход в равновесном состоянии |


Читайте также:
  1. A. Ні. Завдяки кліностатичному рефлексу після переходу в кліностатичне положення ЧСС у нормі зменшується на 4-6 уд/хв.
  2. D) «Трудный путь, опасный переход».
  3. P-n-переход в равновесном состоянии
  4. XV. Переходя к сути дела
  5. А когда кашель связан с шестью органами-фу, то какими признаками характеризуется болезнь? Каким образом болезнь переходит от одного органа в другой?
  6. Агрегатные переходы.
  7. Атака на переходное пространство и замена на фантазию

 

На рис. 4.6 в изображен случай, если изменить полярность внешнего источника.

Напряженность результирующего поля Е рез на переходе увеличится (внешнее и диффузионное поля направлены в одну сторону).

 

Е рез = Е зап + Евнеш(4.15)

 

Дрейфовый ток увеличится, а диффузионный ток уменьшится, в результате чего, динамиче­ское равновесие нарушится и также возникнет ток через р-n переход.

Высота и ширина потенциального барьера увеличится и станет равной:

 

q(fk + Uвнеш) (4.16)

 

Ширина p-n перехода при этом увеличивается.

 

Электроны из слоя n будут двигаться от границы слоев к положительному полюсу внешнего источника, а дырки из слоя р к отрицательному полюсу. Т.о., и свободные электроны, и дырки будут уходить от границы слоев.

 

В результате между слоями образуется область, в которой не остается ни элек­тронов, ни дырок. Ток (диффузионный) через p-n-переход не пойдет.

 

При обратном напряжении толщина p-n перехода возрастает не пропорционально напряжению и в нем преобладает дрейфовое движение носителей по сравнению с диффузионным: дырки из n - области и электроны из p - области вследствие теплового хаотического движения могут попасть в область перехода, где они попадают в ускоряющее поле, переносящее их в соседнюю область.

В результате уменьшается концентрация неосновных носителей у границ перехода - это явление называется экстракцией неосновных носителей

 

В цепи в этом случае будет проходить ток, этот ток небольшой, называется он обратным током. Он обусловлен наличием в слое n некоторого числа неосновных носителей - дырок, а в слое р - свободных электронов, которые будут проникать в пограничную область и поддерживать ток через переход.

 

Этот обратный ток, будет на несколько порядков меньше прямого тока:

 

1обр «1пр, при этом Iпр[ мА ], а Iобр[ мкА ]

 

Из рассмотренных случаев следует, что направление внешнего поля определяет вентильные свойства p-n-перехода, т.е. способность проводить ток в одном направлении в зависимости от полярности приложенного напряжения.

 

 


Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 45 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Прямосмещенный переход| Основные параметры оптронов

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.012 сек.)