Сильному электрическому полю в полупроводнике соответствует большой наклон энергетических зон (рис.4.2).
При этом электроны могут проходить сквозь потенциальный барьер без изменения своей энергии — туннелировать (туннельный пробой).
Туннельный пробой в п/п проявляется при очень больших напряженностях электрического поля Е=106в/м-Si, Е=105 в/м – Ge.
При туннельном пробое резко возрастает концентрация носителей заряда.
Иными словами электрическое поле “вырывает” валентные электроны.
Туннельный пробой – обратимый (не приводит к разрушению п/п, но при превышении допустимого тока Iдоп (когда нарушается тепловой баланс) переходит в тепловой пробой.
Рис. 4.2 Наклон энергетических зон при воздействии сильного электрического поля
Фотоэлектрические явления в п/п.
Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 53 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Ударная ионизация | | | Фоторезистивный эффект |