Читайте также:
|
|
Если однородный полупроводник осветить сильно поглощаемым светом, то в его поверхностном слое, где происходит основное поглощение света, возникнет избыточная концентрация электронов и дырок, которые будут диффундировать вглубь полупроводника (рис.4.3).
Коэффициент диффузии электронов обычно значительно больше
коэффициента диффузии дырок.
Рис. 4.3 Образование ЭДС Дембера
Поэтому при диффузии электроны опережают дырки, происходит некоторое разделение зарядов — поверхность полупроводника приобретает положительный заряд, а объем заряжается отрицательно.
Таким образом, в полупроводнике при его освещении возникает электрическое поле и ЭДС, которую иногда называют ЭДС Дембера.
Возникшее электрическое поле будет тормозить электроны и ускорять дырки при их движении от поверхности полупроводника, в результате чего через
некоторое время после начала освещения установится динамическое равновесие.
Напряженность электрического поля Е, возникающую в полупроводнике при его освещении, можно найти, используя уравнения для дрейфового и диффузионного тока с учетом того, что в установившемся состоянии динамического равновесия тока через полупроводник нет.
Тогда
0 = qnmnE + qDn grad n + qpmpE – qDP grad p (4.9)
При grad p = grad n
E = -grad n(p) (Dn - DP) / (nmn + pmp) (4.10)
т. е. напряженность электрического поля пропорциональна возникающему при освещении полупроводника градиенту концентрации носителей заряда.
Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 54 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Фоторезистивный эффект | | | Образование электронно - дырочного перехода. |