Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Возникновение ЭДС в однородном полупроводнике при его освещении

Ударная ионизация | Туннелирование | P-n-переход в равновесном состоянии | Прямосмещенный переход | Обратносмещенный переход |


Читайте также:
  1. V. ВОЗНИКНОВЕНИЕ АФИНСКОГО ГОСУДАРСТВА
  2. Билет № 5.Возникновение Афинского государства. Реформы Салона и Клисфена.
  3. Билет №8. Деньги: возникновение, эволюция, функции. Деньги и экономия трансакционных издержек.
  4. Вместе возникновением носителей заряда происходит процесс рекомбинации. Динамическое равновесие приводит к установлению равновесной концентрации носителей.
  5. Возникновение авторского права.
  6. ВОЗНИКНОВЕНИЕ АФИНСКОГО ГОСУДАРСТВА
  7. Возникновение государственности в Англии. Англосаксонские королевства. Нормандское завоевание Англии 1066г. Реформы Генриха 1 и Генриха 2.

 

Если однородный полупроводник осветить сильно поглощае­мым светом, то в его поверхностном слое, где происходит ос­новное поглощение света, возникнет избыточная концентрация электронов и дырок, которые будут диффундировать вглубь полупроводника (рис.4.3).

Коэффициент диффузии электронов обычно значительно больше

коэффициента диффузии дырок.

 

 

 

Рис. 4.3 Образование ЭДС Дембера

 

 

Поэтому при диффузии электроны опережают дырки, происхо­дит некоторое разделение зарядов — поверхность полупровод­ника приобретает положительный заряд, а объем заряжается отрицательно.

Таким образом, в полупроводнике при его осве­щении возникает электрическое поле и ЭДС, которую иногда называют ЭДС Дембера.

 

Возникшее электрическое поле будет тормозить электроны и ускорять дырки при их движении от по­верхности полупроводника, в результате чего через

некоторое время после начала освещения уста­новится динамическое равновесие.

 

Напряженность электрического по­ля Е, возникающую в полупроводнике при его освещении, можно найти, ис­пользуя уравнения для дрейфового и диффузионного тока с учетом того, что в установившемся состоянии динамического равновесия тока через полупроводник нет.

Тогда

 

0 = qnmnE + qDn grad n + qpmpE – qDP grad p (4.9)

 

 

При grad p = grad n

E = -grad n(p) (Dn - DP) / (nmn + pmp) (4.10)

 

т. е. напряженность электрического поля пропорциональна возникающему при освещении полупроводника градиенту кон­центрации носителей заряда.


Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 54 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Фоторезистивный эффект| Образование электронно - дырочного перехода.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)