Читайте также:
|
Напряженность результирующего поля на переходе уменьшится (внешнее и диффузионное поля разнонаправлены).
Е рез = Е зап - Евнеш(4.13)
Дрейфовый ток уменьшится, а диффузионный ток увеличится, в результате чего, динамическое равновесие нарушится и возникнет ток через р-n переход.
Высота потенциального барьера уменьшаетсяя и становится равной:
q(fk - Uвнеш) (4.14)
Ширина p-n перехода при этом уменьшается.
Т.к. потенциальный барьер снизится, то повысится число свободных электронов, проникающих из слоя n в слой р, и дырок из слоя р в слой n – в этом случае происходит инжекция неосновных носителей заряда.
а) б) в)
Рис. 4.6 Зонные диаграммы p-n перехода
Инжекция - появление в слое полупроводника неосновных носителей заряда. Этот ток называется прямым током, а включение р-n перехода - прямым включением.
Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 50 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| P-n-переход в равновесном состоянии | | | Обратносмещенный переход |