|
Читайте также: |
Рассмотрим физические процессы, влияющие на концентрацию носителей заряда
Свободный электрон (или дырка), разгоняясь под действием большой напряженности электрического поля, может приобрести на длине свободного пробега дополнительную энергию, достаточную для ионизации примеси или собственного атома полупроводника.
!!! ударная ионизация - процесс ионизации атомов разогнавшимся в поле носителем заряда.
Ионизацию могут вызывать и дырки, так как движение дырок является лишь способом описания движения совокупности электронов валентной зоны полупроводника.
Коэффициент ударной ионизации - количественно характеризует процесс ударной ионизации и численно равен количеству пар носителей заряда, образуемых первичным носителем на единице пути.
` Коэффициенты ударной ионизации в полупроводниках обозначают аn и ар. Коэффициенты ударной ионизации очень сильно зависят от напряженности электрического поля Е.
Для практических расчетов пользуются эмпирической аппроксимацией
а = А|Е|m (4.6)
где m = 5 - 8.
С эффектом ударной ионизации связан лавинный пробой – лавинное умножение носителей заряда, ток быстро возрастает и теоретически --> 
.
Существует допустимое значение тока, превышение которого приводит к
тепловому (необратимому пробою)
Тепловой пробой – нарушение теплового обмена, когда энергия рассеивания меньше энергии выделения.
Процесс носит лавинный характер, так как увеличение tо вызывает снижение сопротивления п/п кристалла и увеличению тока через прибор.
Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 55 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Диффузия носителей заряда | | | Туннелирование |