Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Контакт мегалл-полупроводник

Зонная структура энергетического спектра носителей заряда | Заполнение зон. Эффективная масса носителей заряда | Локальные уровни в запрещенной зоне | Дефекты в кристаллах | Функция распределения Максвелла— Больцмана | Функция распределения Бозе - Эйнштейна | Функция распределения Ферми—Дирака | Полупроводниках | Квазиуровни Ферми и время жизни неравновесных носителей заряда | Скорость рекомбинации |


Читайте также:
  1. Uuml; Регистрация и дополнительная информация по телефону 33-444-99, на сайтах www.4dk-seminar.ru, zaznaniem.ru и или или в группе «ВКонтакте» http://vk.com/club46437375
  2. А — объект управления; б — релейно-контактная схема; в — минимизированная схема
  3. Административные контакты
  4. АНАЛИЗ РЕЛЕЙНО-КОНТАКТНОЙ СХЕМЫ
  5. Бесконтактные методы измерения температуры.
  6. Бесконтактные путевые выкл. Назначение, констр-я.
  7. Бесконтактные способы измерений

Контакт металл-полупроводник широко- используется для выпрямления тока, подклю­чения полупроводника к электрической цепи, в быстродействующих СВЧ диодах (диод Шоттки), а также для исследования физических параметров полупроводниковых материалов.

При контакте веществ в приконтактной области полупроводника возникает ряд новых физических явлений, обусловленных обменом через границу раздела свободных носителей заряда, принадлежащих обоим контактирующим веществам. Чтобы понять природу контактных явлений, обычно рассматривают условия выхода электронов из вещества наружу. При этом считают, что поверхность, из которой выходят электроны, граничит с вакуумом. На границе имеется потенциальный барьер, препятствующий выходу электронов из вещества. Этот барьер отражает притяжение электронов внутри кристалла положительными ионами кристаллической решетки.

Для анализа физических процессов и расчета их числовых характери­стик удобно пользоваться зонно-энергетическими диаграммами. Разность между энергией свободного электрона в вакууме и уровнем Ферми. называется работой выхода (χ). На рис.4.1 приведены такие диаграммы для металла и полупроводника, находящихся в контакте друг с другом. Если затем их электрически соединить (рис.4.1), то из полупроводника в металл (П→M) вследствие диффузии перетечет некоторое количества заряда (электронов), и в системе ус­тановиться динамическое равновесие. При этом уровни Ферми в обоих материалах сравняются, т.е. уровень Ферми полупроводника понизиться относительно уровня Ферми металла на величину, равную разности соответствующих работ выхода (χМ и χП). На границе раздала St появиться потенциальный барьер φ0 =qUk равный разности работ выхода (эВ).

В приграничном слое полупроводника образуется обедненный слой толщиной dn, сформированный положительно ионизированными атомами. В приближении резкой границы обедненного слоя (т.е. ρ = qNd при x<dn и ρ =0, dφ/dx =0 при x>dn, где ρ - объемная плотность заряда, Nd -концентрация донорной примеси) для барьера металл-полупроводник из решения уравнения Пуассона получаем

(4.1)

где UK - приложенная разность потенциалов.

 

 

Рис.4.1. Зонная диаграмма контакта металл-полупроводник

 

Из данного уравнения видно, что внешняя разность потенциалов UK, приложенная в прямом направлении, уменьшает толщину обедненного слоя, а приложенная в запорном направлении – увеличивает толщину этого слоя. Такой слой называется запирающим.

Величина изменения потенциала φ(х) и напряженности электрического поля E(x) в области контакта, пространственного заряда на едини­цу площади поверхности полупроводника и соответствующая удельная емкость обедненного слоя рассчитывается по формулам:

 

[В] (4.2)

 

[В/см] (4.3)

[Кл/м2] (4.4)

 

[Ф/м2] (4.5)

 

Из уравнения (1.) получаем

(4.6)

Если ND постоянна во всей области обедненного слоя, то на графике зависимости 1/с2 от UK получим прямую линию. Если ND не постоянна, то, измеряя дифференциальную емкость, можно определить профиль легирования.

Зонные энергетические диаграммы контакта металла с полупроводником n и p – типа при прямом и обратном включениях показаны на рис4.2.

.

 

Рис.4.2 Зонная диаграмма:

а - прямое смещение, б - обратное смещение.

 

Такой контакт (т.е. χМП) называется барьером Шоттки. Вольт-амперная xapактеристика такого контакта.

(4.7)

где IS - значение тока при обратном смешении, практически не зависящее от величины приложенного смещения.

Из полученной зависимости следует, что контакт металл - полупроводник, приводящий к образованию обедненного слоя, обладает практически односторонней проводимостью. При одной и той же величине приложенного напряжения ток в прямом направлении во много раз выше тока в обратном направлении. В этом состоит выпрямляющее свойство этого контакта.


Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 85 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Уравнение непрерывности| Контакт полупроводников n и p типа.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)