Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Основные характеристики, h-параметры биполярных транзисторов (для схемы с ОЭ)

Читайте также:
  1. I. ОСНОВНЫЕ БОГОСЛОВСКИЕ ПОЛОЖЕНИЯ
  2. I. ОСНОВНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ
  3. I. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ
  4. I. Основные приемы (способы выполнения).
  5. I. ОСНОВНЫЕ ПРИНЦИПЫ ПОЛИТИКИ ПЕРЕМЕН
  6. I. Основные элементы текстового документа
  7. II. Основные факторы, определяющие состояние и развитие гражданской обороны в современных условиях и на период до 2010 года.
      При любой схеме включения транзистор может быть представлен  
    в виде активного четырехполюсника (рис.1), на входе которого  
    действует напряжение и1 и протекает ток i 1. а на выходе —  
    напряжение и2 и ток i 2. Для транзисторов чаще всего используются  
    h -параметры,так как они наиболее удобны для измерений.Система  
    уравнений, показывающая связь напряжений и токов с  
Рис.1                
h- параметрами,имеет вид:                
  u1 = h11 h12   = i1    
  i2 h21 h22   u2    
           

Физический смысл соответствующих коэффициентов следующий: h11 - входное сопротивление при коротком замыкании на выходе; h12 коэффициент обратной связи по напряжению; h21 – коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе; h22 – выходная проводимость при холостом ходе на входе.

 

Для схем с ОЭ (рис.2) h- параметры будут равны:

h11э ≈ r'б + rэ диф(β + 1);    
h21э ≈ β ·         ≈ β;    
           
h12э ≈ (β + 1) ·   ;        
         
h22э ≈     · (β + 1) =   .  
       

 

 

Рис.2

 


Дата добавления: 2015-10-16; просмотров: 135 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Полупроводниковые материалы. Собственная и примесная электропроводности. | Электронно-дырочный переход и его свойства. Переход металл-полупроводник. | Полупроводниковые резисторы. Назначение, характеристики, параметры. | Классификация полупроводниковых диодов. Условные графические и буквенные обозначения. | Однополупериодный выпрямитель. | Трехфазная мостовая схема выпрямителя | Управляемые выпрямители. Временные диаграммы управляемых выпрямителей. Тиристорные преобразователи, как источники регулируемого напряжения. Схема управления ДПТ | Принципиальные схемы, принцип работы. Коэффициент стабилизации. | Характеристики полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. | Основные характеристики полевых транзисторов. |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Схемы включения с ОБ, ОЭ, ОК , их сравнительный анализ| Полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом. Структура, принцип работы. Основные параметры, стокозатворные и выходные характеристики

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)