Читайте также: |
|
1). Крутизна характеристики 2). Крутизна характеристики по подложке
3). Начальный ток стока Ic нач – ток стока при нулевом напряжении UЗИ; у транзисторов с управляющим p-n-переходом Iс нач = 0,2 – 600 мА; с технологически встроенным каналом Iс нач = 0,1 – 100 мА; с индуцированным каналом Iс нач = 0,01 – 0,5 мкА.
4). Напряжение отсечки UЗИ отс (UЗИ отс = 0,2 – 10 В).
5). Пороговое напряжение UЗИ пор (UЗИ пор = 1 – 6 В).
6). Сопротивление сток – исток в открытом состоянии Rси отк (Rси отк = 2 – 300 Ом).
7). Постоянный ток стока Ic max Ic max от 10 мА до 0,7 А).
8). Остаточный ток стока Ic ост – ток стока при напряжении UЗИ отс Ic ост = 0,001 – 10 мА).
9). Максимальная частота усиления fp – частота, на которой коэффициент усиления по мощности Кур равен единице (fp – десятки - сотни МГц).
17. ИМС: маркировка, обозначение. Полупроводниковые, гибридные, аналоговые, цифровые ИМС
Интегральная микросхема (ИМС) —микроэлектронное изделие,выполняющее определенныефункции преобразования, имеющая высокую плотность упаковки электрически соединенных между собой элементов и компонентов и представляющая единое целое с точки зрения требований к испытаниям, приемке и эксплуатации.
Обозначение интегральных микросхем состоит из следующих элементов:первый элемент—цифра, указывающая группу микросхемы; второй элемент — две цифры — порядковый номер разработки серии (0 до 99); третий элемент — две буквы — подгруппа и вид микросхемы; четвертый элемент — порядковый номер разработки микросхемы в данной серии. Для микросхем широкого применения в начале обозначения ставится буква К.
После обозначения порядкового номера разработки серии микросхемы может стоять буква русского алфавита или цветная точка, указывающая на различие электрических параметров. Конкретные значения электрических параметров и цвет маркировочной точки даются в технической документации на микросхемы.
В полупроводниковых ИМС все элементы схемы(диоды,транзисторы,резисторы и т.д.)выполнены на основе одного кристалла полупроводникового материала, так называемой активной подложки (обычно монокристалл кремния).
В гибридных ИМС пассивные элементы выполнены в виде пленок,нанесенных надиэлектрическую подложку, а активные элементы (диоды, транзисторы и т. д.) являются навесными.
Аналоговые микросхемы применяют для усиления,генерирования и преобразования сигналов,изменяющихся по закону непрерывной функции. Они используются в качестве усилителей низкой и высокой частоты, смесителей, детекторов, генераторов и т. д.
Цифровые микросхемы предназначены,для обработки электрических сигналов,изменяющихся позакону дискретной функции. Такие микросхемы используются в системах автоматики и электронно-вычислительных машинах.
Дата добавления: 2015-10-16; просмотров: 113 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Характеристики полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. | | | Амплитудная, амплитудно-частотная и фазочастотная характеристики усилителей. |