Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Полупроводниковые материалы. Собственная и примесная электропроводности.

Читайте также:
  1. Антифрикционные материалы.
  2. Вспомогательные материалы. Die Hilfsmittel
  3. Знание языка стрессов важнее знания любого иностранного языка, ибо НА ЯЗЫКЕ СТРЕССОВ С ЧЕЛОВЕКОМ ГОВОРИТ ЕГО СОБСТВЕННАЯ ЖИЗНЬ.
  4. Классическая теория электропроводности.
  5. Моя собственная история
  6. Моя собственная карьера
  7. Мы поверили, что Сила, более могущественная, чем наша собственная, может вернуть нас к нормаль­ному и здоровому образу жизни.

К полупроводникам относятся материалы, которые при комнатной температуре имеют удельное электрическое сопротивление от 10-5 до 1010 Ом*см (в полупроводниковой технике принято измерять сопротивление 1 см3 материала). Наиболее часто используются кремний, арсенид галлия, селен, германий, разные оксиды, сульфиды, нитриды и карбиды. В идеальном кристалле ток создается равным количеством электронов и «дырок». Такой тип проводимости называют собственной проводимостью полупроводников. При повышении температуры (или освещенности) собственная проводимость проводников увеличивается.

Примесная проводимость полупроводников — электрическая проводимость, обусловленная наличием в полупроводнике донорных или акцепторных примесей.

Примесная проводимость, как правило, намного превышает собственную, и поэтому электрические свойства полупроводников определяются типом и количеством введенных в него легирующих примесей. Самыми распространёнными легирующими примесями для кремния являются фосфор Р и мышьяк As (позволяют получить n-тип проводимости) и бор В (p-тип).

Собственная проводимость полупроводников обычно невелика, так как число свободных электронов, например, в германии при комнатной температуре порядка 3·1013 / см3. В то же время число атомов германия в 1 см3 ~ 1023. Проводимость полупроводников увеличивается с введением примесей, когда наряду с собственной проводимостью возникает дополнительная примесная проводимость.

На проводимость полупроводников большое влияние оказывают примеси. Примеси бывают донорные и акцепторные. Донорная примесь — это примесь с большей валентностью. При добавлении донорной примеси в полупроводнике образуются лишние электроны. Проводимость станет электронной, а полупроводник называют полупроводником n-типа. Например, для кремния с валентностью n — 4 донорной примесью является мышьяк с валентностью n = 5. Каждый атом примеси мышьяка приведет к образованию одного электрона проводимости.
Акцепторная примесь — это примесь с меньшей валентностью. При добавлении такой примеси в полупроводнике образуется лишнее количество «дырок». Проводимость будет «дырочной», а полупроводник называют полупроводником р-типа. Например, для кремния акцепторной примесью является индий с валентностью п = 3. Каждый атом индия приведет к образованию лишней «дырки».

Схема с примесью донорных атомов

Схема с примесью акцепторных атомов

Схема собственной электропроводности

 

 


Дата добавления: 2015-10-16; просмотров: 105 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Полупроводниковые резисторы. Назначение, характеристики, параметры. | Классификация полупроводниковых диодов. Условные графические и буквенные обозначения. | Однополупериодный выпрямитель. | Трехфазная мостовая схема выпрямителя | Управляемые выпрямители. Временные диаграммы управляемых выпрямителей. Тиристорные преобразователи, как источники регулируемого напряжения. Схема управления ДПТ | Принципиальные схемы, принцип работы. Коэффициент стабилизации. | Схемы включения с ОБ, ОЭ, ОК , их сравнительный анализ | Основные характеристики, h-параметры биполярных транзисторов (для схемы с ОЭ) | Полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом. Структура, принцип работы. Основные параметры, стокозатворные и выходные характеристики | Характеристики полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
ЗАКЛЮЧЕНИЕ| Электронно-дырочный переход и его свойства. Переход металл-полупроводник.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)