Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Необходимость разориентации поверхности кремниевых пластин

Читайте также:
  1. IV. Массаж задней поверхности голени, передней и задней поверхности бедра
  2. ВАЖНОСТЬ И НЕОБХОДИМОСТЬ ПОКАЯНИЯ.
  3. Величайшие дары жизни — это внутренние дары, которые открываются только тому, кто имеет достаточно мужества, чтобы заглянуть за пределы поверхности своей жизни.
  4. Вестибулярные пластинки
  5. Вопрос 17. Твердосплавные пластины и заготовки для инструментов.
  6. Вопрос 25. Механическое крепление пластин. Крепление пластин из керамики и алмазов.
  7. Движущие силы развития общества Свобода и необходимость.

Теоретические сведения

Определение угла разориентации α поверхности кремниевых пластин от заданной кристаллографической плоскости важно в технологии полупровод­никовых приборов, при изготовлении деталей из оптически активных кристаллов и в ряде других случаев. Скорость роста и качество выращиваемых эпитаксиальных плёнок в значительной степени зависят от этого параметра. Так, плоскость (111) кремния выделяется наименьшей скоростью роста эпитаксиальных плёнок, и разориентация поверхности относительно данной плоскости всего на 5 градусов приводит к увеличению скорости роста в тетрахлоридном процессе на 10%.

Зависимость максимально возможной скорости роста эпитаксиальной плёнки кремния из парогазовой фазы, обеспечивающей монокристаллический рост при атмосферном давлении, от температуры приведена на рис.1

Энергия активации, полученная из этой зависимости, составляет 5 эВ, что соответствует энергии активации процесса самодиффузии кремния. Физическая суть такого соответствия заключается в том, что после химической реакции и адсорбции на поверхности пластины атомы кремния мигрируют по поверхности к наиболее кристаллографически благоприятному месту, где они смогут встроиться в решётку (рис. 2).

 

Наиболее благоприятные места для встраивания атомов в кристаллическую решётку расположены на боковой поверхности атомных ростовых ступеней. Подвижность адсорбированных атомов растёт с ростом температуры процесса, что и позволяет увеличивать скорость роста эпитаксиальных плёнок. Таким образом, рост плёнки осуществляется не в вертикальном, а в горизонтальном направлении. Данный механизм роста объясняет явления смещения и размытия топологического рисунка.

В данной работе изучается рентгеновский дифрактометрический метод, используемый в аналитической лаборатории службы контроля качества ЗАО «Кремний-Эл», базирующийся на [8], [9]. Используемая методика применима в интервале углов отклонения поверхности пластины от заданной кристаллографической плоскости не более 8 градусов для ориентации (111) и (100) и не более 3 градусов для ориентации (013).


Дата добавления: 2015-10-21; просмотров: 335 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Принцип определения угла разориентации плоскости поверхности | Описание дифрактометра ДРОН-2.0 | Рентгеновская трубка | Счётчик рентгеновских квантов |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Топ лучших мазей для спортсменов.| Элементы рентгеноструктурного анализа

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)