Выбор и обоснование затуханий частотно-избирательных систем линейного тракта РПУ

Исходя из заданных в ТЗ рабочих диапазонов частот обратимся к «Моделирование элементов и узлов РЭС: Учебное пособие по дисциплине и методические указания к выполнению расчетно-графической работы. / Сост.; РГАТА. – Рыбинск, 2010. – 153 с.» стр. 141 таблица Д.1, и выберем собственное затухание , коэффициент шунтирования для полевых транзисторов Kшп =1, для биполярных Kшб=2.

Рассчитаем полосу пропускания линейного тракта для приемника прямого преобразования по формуле (1.9):

, .	(1.9)
Где	– собственная добротность контура.

Все данные рассчитанные в формуле (1.9) и приложении Д, сведены в таблицу 1.1.

Таблица 1.1 – Общие характеристики колебательных контуров

Параметр	Тип транзистора
полевой	биполярный
Конструктивная (собственная) добротность колебательного контура Q 0
Коэффициент шунтирования δш
Эквивалентная добротность колебательного контура Q экв
Требуемая (расчетная) полоса пропускания, Гц
Полоса пропускания одиночного колебательного контура на максимальной частоте f макс, кГц	17.5
Полоса пропускания одиночного колебательного контура на минимальной частоте f мин кГц	19.5
Полоса пропускания одиночного колебательного контура на средней частоте f ср, кГц	18.5
Полоса пропускания системы связанных колебательных контуров на максимальной частоте f макс, Гц	24.648	49.296
Полоса пропускания системы связанных колебательных контуров на минимальной частоте f мин, кГц	27.465	54.930
Полоса пропускания системы связанных колебательных контуров на средней частоте f ср, кГц	26.056	52.113

Дата добавления: 2015-10-13