Определение плотности дислокаций

1. Получить у преподавателя полированный и травленый образцов монокристаллов полупроводников.

2. Произвести общий осмотр полученных образцов при малом увеличении. Найти выходы дислокаций, малоугловые границы, включения и др.

3. Определите тип симметрии ямки травления. Используя информацию о пространственной группе симметрии кристалла, оцените индексы Миллера изучаемой грани.

4. Произвести подсчет числа дислокаций в нескольких ячейках, результаты измерений занести в протокол испытаний.

5. Обработать результаты измерений. Рассчитать среднее число ямок травления в ячейке, среднеквадратичное отклонение и определить плотность дислокаций.

6. Построить гистограмму распределения плотности дислокаций в кристалле.

Протокол испытаний:

Длина стороны ячейки а = …, мкм

Площадь ячейки S = a ² = …, см²

Номер ячейки	Число ямок травления на ячейку
Z	W	U	X = Z + 0.5W + 0,25U
1 2 … 20
Среднее:
Среднеквадратичное отклонение:

Плотность дислокаций: r = …, см^–2.

4. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

1. Чем отличается краевая и винтовая дислокации?

2. Объясните с помощью контура Бюргерса, почему дислокационная линия не может оборваться внутри кристалла?

3. Напряжение скольжения дислокации в металлическом кристалле порядка 10^–4 G. Оцените, какое расстояние должно быть между дислокациями, чтобы движение одной из дислокаций вызвало бы движение другой.

4. Как будет выглядеть под микроскопом граница блока при исследовании поверхности кристалла в методе избирательного травления?

5. Чем обусловлена избирательность травления в местах выхода дислокаций?

6. Оцените, каким должно быть увеличение микроскопа, чтобы определить плотность дислокаций в пластически деформированном кристалле методом избирательного травления?

5. СПИСОК РЕКОМЕНДУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Киттель Ч. Ведение в физику твердого тела. М., 1978.

2. Лахтин Ю.М., Леонтьева В.П. Материаловедение. М., 1990.

3. Шаскольская М.Н..Кристаллография. М., 1976.

4. Травление полупроводников. М., 1964.

Дата добавления: 2015-08-21