Читайте также: |
|
Важным свойством полупроводников является зависимость электропроводности от интенсивности внешнего энергетического воздействия: электрического или магнитного поля, температуры, длины волны светового потока, освещенности, механического давления и т. д. Возможно и обратное действие — преобразование электрической энергии в тепловую, световую или механическую. Используя эти и другие свойства полупроводниковых материалов, получены различные по назначению приборы и схемы в микроэлектронике, без которых немыслимы современные радио- и телевизионная аппаратура, электронные вычислительные машины, измерительная техника в целом. Разработка технологии изготовления полупроводников с двумя типами проводимости — электронной и дырочной, совмещенными в одном кристалле, позволила получить приборы с /?-л-переходом (одним или несколькими), обладающие способностью выпрямлять переменный ток, создавать электрическую емкость, стабилизировать напряжение и т. д. Эти свойства /ья-перехода положены в основу работы диодов, транзисторов, тиристоров, варикапов, стабилитронов и др. На базе простого полупроводника кремния было создано новое направление в приборостроении — твердотельная микроэлектроника. Таким образом, применение полупроводниковых материалов произвело подлинную революцию в электро- и радиотехнике.
Большинство приборов изготавливают из пластин, вырезанных из полупроводниковых монокристаллических слитков. Слитки получают методом направленной кристаллизации расплава исходного материала, предварительно очищенного от посторонней примеси и обычно легированного определенным химическим элементом заданной концентрации. Для обеспечения одинаковыми параметрами всей партии приборов, изготовленных из одного и того же монокристаллического слитка, необходимо, чтобы легирующая примесь была равномерно распределена по всему объему слитка.
В настоящее время насчитывается большое количество типов полупроводниковых приборов, и сфера их применения продолжает расширяться. Каждый прибор в зависимости от требуемых электрических параметров нуждается в полупроводниковом материале с определенными свойствами, это направляет и стимулирует развитие науки и промышленности по производству новых полупроводниковых материалов с требуемыми свойствами.
Глава 8
ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ИХ ПРАКТИЧЕСКОЕ ПРИМЕНЕНИЕ
Дата добавления: 2015-08-09; просмотров: 93 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Сторона электрета, обращенная к минусу поляризующего напряжения; 2 — то же, к плюсу | | | ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ И КЛАССИФИКАЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ |