Читайте также:
|
|
1. Плотность электронных состояний в металлах и полупроводниках при уменьшении размеров до нанометрового диапазона
А) Не изменяется; В) Увеличивается; С) Уменьшается; D) Иной ответ.
2. Куперовская пара это?
А) Фермионы B) Экситоны
C) Бозоны D) Электроны
3. Распределение Ферми - Дирака
A) B) C) D)
E) .
4. Правило отбора для гармонического осциллятора.
A) B) C) D) E)
5. Какое явление имеет место при работе фоторезистора?
А) внешний фотоэффект; B) внутренний фотоэффект; C) вентильный фотоэффект; D) люминесценция; E) термоэлектронная эмиссия.
6. На графике представлены вольтамперные характеристики (ВАХ) резистора, p-n перехода, двухэлектродной лампы, фотоэлемента. Укажите ВАХ p-n перехода.
А) Кривая 1; B) Кривая 2;)
С) Кривая 3; D) Кривая 4;
E) Такая кривая отсутствует на графике.
7. Какое из выражений соответствует соотношению неопределенности Гейзенберга?
A)
B)
C)
D)
E)
8. Под электроном проводимости в зонной теории понимается:
A) Любой свободный электрон
B) Только электроны лежащие у ’’дна’’ зоны проводимости
C) Только электроны, заполняющие состояния в середине зоны проводимости
D) Только электроны, заполняющие состояния вблизи уровня Ферми
E) Иной ответ.
9. Внешний фотоэффект
A) заключается в возникновении под действием света электродвижущейся силы (фото-э.д.с.) в области pn- перехода или на границе металла с полупроводником.
B) заключается в испускании электронов веществом под действием света.
C) заключается в появлении донорских уровней в запретной зоне.
D) заключается в появлении акцепторных уровней в запретной зоне.
E) имеет место, когда под действием света электрон поглощает квант с энергией, превышающей ширину запретной зоны полупроводников и изоляторов.
10. Решение уравнения Шредингера для свободного электрона в металлах
A. B. C. D. E.
11. Ширина запрещенной зоны у диэлектриков составляет
A) несколько эВ B) ~ 1эВ C) эВ
D) эВ E) эВ
12. Фонон- это
A) Частица с полуцелым спином
B) Частица с нулевым спином
C) Квазичастица с целочисленным спином
D) Квазичастица с нулевым спином
E) Частица с целочисленным спином
13. Метод РФЭС не позволяет исследовать явление возбуждения электрон-дырочных
пар вблизи поверхности Ферми в кластерах металлов.
A) Верно B) Неверно
14. Какова по порядку величины ширина запрещенной зоны для полупроводников?
A) ~ 0,01эВ;
B) ~0,1 эВ;
C) ~1 эВ;
D) ~10 эВ;
E)~ 100 эВ.
15. Жидкость B самопроизвольно растекается по жидкости A при условии
A) SB/A = 0; B) SB/A < 0; C) SB/A > 0; D) Иной ответ.
Здесь SB/A – коэффициент растекания жидкости B по жидкости A.
16. Оптическая ширина запрещенной зоны кремния с уменьшением числа атомов в квантовой точке (ее размеров)
А) Уменьшается; В) Не изменяется; С) Увеличивается; D) Иной ответ.
17.Фотон которого из указанных лучей обладает наибольшей массой?
A) Красные лучи l=7×10-5см
B) Рентгеновские лучи l= 0,25 Ả
C) Ультрафиолетовые лучи l=3×10-6см
D) Гамма-лучи l=10-2Ả
E) Иной ответ
18. Сколько электронов проводимости в среднем находится в квантовой точке размером 100нм при концентрациях доноров 1014 – 1016 см-3
А) 102 – 105 В) 102 – 103 С) 10-1 – 103 D) 10 – 102
19. Число атомов на поверхности наноструктуры определяется по формуле
А) NS = n2, В) NS = 6n2, С) NS = 10n2, D) NS = 12n2,
где n = 13 атомам – наименьшая, из теоретически возможных наночастиц для ГЦК-решетки
20. Процент атомов на поверхности наноструктуры относительно объема с увеличением ее размеров
А) Увеличивается; В) Не изменяется; С) Уменьшается; D) Иной ответ.
Дата добавления: 2015-07-24; просмотров: 47 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
ФИО студента__________________ Группа________________________ | | | ФИО студента__________________ Группа________________________ |