ФИО студента__ Группа____

1. Интенсивность поглощения света при уменьшении размеров наночастиц

А) Увеличивается; В) Не изменяется; С) Уменьшается; D) Иной ответ.

2. В квантовой точке электроны локализованы

А) В одном измерении B) В двух измерениях

C) В трех измерениях D) Делокализованы

3. Вероятность заполнения электронами уровня Ферми равна?

А) 1/2 B) 1/10 C) 1 D) 0

4. Какие частицы являются основными носителями тока в полупроводнике р-типа?

А) дырки; B) электроны; C) электроны и дырки; D) ионы и электроны;

E) ионы и дырки.

5. Для полупроводника n-типа характерны следующие свойства:

А) добавляется донорная примесь - элемент VI группы;

B) основными носителями являются электроны;

C) уровень Ферми находится выше середины запрещенной зоны;

D) донорные уровни располагаются в запрещенной зоне около дна зоны проводимости;

E) с ростом температуры электрическая проводимость растет за счет роста концентрации только электронов.

6. Ширина запрещенной зоны у полупроводников составляет

A) несколько эВ B) ~ 1 эВ C) эВ

D) эВ E) эВ

7. Анизотропия физических свойств характерна для?

А) Ионных кристаллов B) Всех кристаллов

C) Поликристаллов D) Монокристаллов

8. Как изменится импульс электрона, если его дебройлевская длина волны уменьшилась от 100 мкм до 50 мкм?

A) увеличится в 2 раза

B) уменьшится в 2 раза

C) уменьшится в 4 раза

D) увеличится в 4 раза

E) не изменится

9. Электропроводность полупроводника с увеличением температуры?

А) Растет нелинейно B) Уменьшается нелинейно

C) Растет линейно D) Не изменяется

10.Укажите значение нулевой энергии гармонического осциллятора?

A) e=hn B) e= w C) D) E) e=0

11. Используя соотношение неопределенности, оценить наименьшую ошибку в определении импульса электрона, если координата центра масс частицы может быть установлена с неопределенноcтью =1мкм ( Дж с).

A) 0,50 ×10^-29кг×м/с

B) 1,05×10^-34кг×м/с

C) 1,15 ×10^-34кг×м/с

D) 0,50×10^-34кг×м/с

E) 1,05×10^-28кг×м/с

12. Какие полупроводники обладают собственной проводимостью?

A) Содержащие донорные примеси;

B) Содержащие акцепторные примеси;

C) Содержащие донорные и акцепторные примеси;

D) Любые полупроводники при Т = 0 К;

E) Химически чистые полупроводники при Т > 0 К.

13. Вентильный фотоэффект заключается в:

А) Возникновении в p-n переходе фото-ЭДС;

B) Вырывании под действием света фотоэлектронов;

C) Испускании электронов при тепловом воздействии;

D) Увеличении под действием света электропроводности вещества;

E) Вырывании электронов из вещества сильным электрическим полем.

14. К фазовому переходу второго рода относятся

А) Сублимация и десублимация;

B) Переход парамагнетик-ферромагнетик;

C) Кипение и конденсация;

D) Плавление и кристаллизация.

15. Сопротивление углеродных нанотрубок при увеличении приложенного магнитного поля

А) Уменьшается;

B) Остается неизменным;

C) Увеличивается;

D) Иной ответ.

16. Диаметр углеродных нанотрубок в зависимости от способа изготовления находится в интервале

А) 1 – 10нм;

B) 10 – 100нм;

C) 1 – 150нм;

D) 50 – 200нм.

17. Величина работы выхода электрона из металла равна

(U₀ - высота потенциального барьера на поверхности металла; E_F - энергия Ферми)

A) U₀ B) E_F C) E_F - U₀ D) U₀ - E_F

18. Решение уравнения Шредингера с периодическим потенциалом для электрона в металлах

A) B) C) D)

E)

19. Ширина запрещенной зоны в полупроводниках с уменьшением размеров до нанометрового диапазона

А) Уменьшается; В) Увеличивается; С) Не изменяется; D) Иной ответ.

20. Температура плавления металлов и полупроводников при уменьшении размеров до нанометрового диапазона

А) Увеличивается; В) Уменьшается С) Не изменяется; D) Иной ответ.

Дата добавления: 2015-07-24