ФИО студента__ Группа____

1. Каким методом производится изготовление ориентированных игл с одним атомом на кончике острия для сканирующих зондовых микроскопов?

А) Механическое шлифование; В) Полевая эмиссия; С) Ионное травление; D) Иной ответ.

2. Оптические спектры поглощения наночастиц полупроводящих материалов в отличие от объемного материала, сдвигаются

А) В сторону увеличения длин волн; В) В сторону уменьшения длин волн; С) Не изменяются; D) Иной ответ.

3. Электропроводность полупроводника с увеличением температуры?

А) Растет нелинейно B) Уменьшается нелинейно

C) Растет линейно D) Не изменяется

4. Величина работы выхода электрона из металла равна

(U₀ - высота потенциального барьера на поверхности металла; E_F - энергия Ферми)

A) U₀ B) E_F C) E_F - U₀ D) U₀ - E_F

5. Что называется энергией или уровнем Ферми?

А) Самый высокий из разрешенных уровней энергии в валентной зоне;

B) Самый низкий из разрешенных уровней энергии в валентной зоне;

C) Уровень, вероятность заполнения которого равна 0,5;

D) Уровень энергии, соответствующий середине свободной зоны;

E) Уровень энергии, соответствующий дну свободной зоны.

6. Какие полупроводники IY группы обладают электронной проводимостью?

А) Полупроводники, содержащие примесь элементов Y группы;

B) Полупроводники, содержащие примесь элементов III группы;

C) Чистые полупроводники;

D) Полупроводники, содержащие примесь элементов IY группы;

E) Полупроводники, содержащие примесь элементов YI группы.

7. Какова по порядку величины ширина запрещенной зоны для полупроводников?

A) ~ 0,01эВ; B) ~0,1 эВ; C) ~1 эВ; D) ~10 эВ; E)~ 100 эВ.

8. В полупроводниках при низких температурах зона проводимости

A) Пуста

B) Целиком заполнена электронами

C) Наполовину заполнена электронами

D) Заполнение зависит от типа полупроводника

E) Иной ответ

9. С помощью РФЭС с угловым разрешением можно исследовать сверхтонкие покрытия, толщина которых меньше длины пробега фотоэлектронов.

A) Верно B) Неверно

10. Предел прочности однослойной углеродной нанотрубки равен

А) 10 ГПа; B) 25 ГПа; C) 45 ГПа; D) 50 ГПа.

11. На какую величину меняется энергия гармонического осциллятора при переходах из одного состояния в другое?

A) B) De= w C) De=Е_n-E_m D) E) Иной ответ

12. Фононы - квазичастицы, являющиеся квантами:

А) Рентгеновского излучения;

B) Электромагнитного поля;

C) Колебаний кристаллической решетки;

D) Ядерного (сильного) взаимодействия;

E) Гравитационного поля.

13. Согласно зонной теории, твердое тело представляет собой полупроводник, если:

А) Происходит перекрытие валентной зоны и зоны проводимости;

B) Если ширина запрещенной зоны составляет порядка 10 эВ;

C) Если ширина запрещенной зоны составляет порядка 1 эВ;

D) Если валентная зона заполнена частично;

E) Если ширина запрещенной зоны составляет больше 10 эВ.

14. Теплоемкость кристаллических твердых тел по квантовой теории Эйнштейна при низких

температурах пропорциональна

А) Т; B) Т ²; C) Т ³; D) Т^1/2; E) exp(-ћω/kT).

15. Какие частицы являются основными носителями тока в полупроводнике n-типа?

А) дырки; B) электроны; C) электроны и дырки; D) ионы и электроны;

E) ионы и дырки.

16. Расстояние между соседними энергетическими уровнями электронов в валентной зоне металлов и полупроводников с уменьшением их размеров до нанометрового масштаба

А) Уменьшится; В) Не изменится; С) Увеличится; D) Иной ответ.

17. Электрон находится в глубокой потенциальной яме. Чему равна потенциальная энергия электрона?

A) 10^-16 Дж

B) 10^-19 Дж

C) 10^-20 Дж

D)

E) 10^-10Дж

18. К какому типу - металл, полупроводник, диэлектрик - относятся указанные ниже энергетические зоны двух кристаллов?

А) 1-Диэлектрик, 2-металл;

B) 1-полупро­водник, 2-металл;

C) 1,2- полупроводники;

D) 1,2 - металлы;

E) 1-металл, 2 -диэлектрик.

19. Сколько электронов проводимости в среднем находится в квантовой точке размером 10нм при концентрациях доноров 10¹⁶ – 10¹⁸ см^-3

А) 10 – 10² В) 5 -10 С) 10^-1 D) Электроны отсутствуют

20. На чем основан принцип действия монохроматора в рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС)?

A) На медленных нейтронах B) На рассеянии электронов

C) На дифракции рентгеновского D) На ионизации остовных уровней

излучения на кристаллической решетке

Дата добавления: 2015-07-24