ФИО студента__ Группа____

1. Оптическая ширина запрещенной зоны кремния с уменьшением числа атомов в квантовой точке (ее размеров)

А) Уменьшается; В) Не изменяется; С) Увеличивается; D) Иной ответ.

2. Число атомов на поверхности наноструктуры определяется по формуле

А) N_S = n², В) N_S = 6n², С) N_S = 10n², D) N_S = 12n²,

где n = 13 атомам – наименьшая, из теоретически возможных наночастиц для ГЦК-решетки

3. Запрещенная зона в диэлектрике?

А) Больше 3 Эв B) Отсутствует

C) Меньше 3 Эв D) Свободна

4. Электрон находится в глубокой потенциальной яме. Чему равна потенциальная энергия электрона?

A) 10^-16 Дж

B) 10^-19 Дж

C) 10^-20 Дж

D) 10^-10Дж

E)

5. В металлах зона проводимости заполнена электронами

A) Целиком

B) Наполовину

C) Пуста

D)Заполнение зависит от валентности металла

E) Иной ответ

6. Фонон- это

A) Частица с полуцелым спином

B) Частица с нулевым спином

C) Квазичастица с целочисленным спином

D) Квазичастица с нулевым спином

E) Частица с целочисленным спином

7. Уравнение Шредингера для частицы в одномерной глубокой потенциальной яме ( имеет вид:

A)

B)

C)

D)

E)

8. Какие частицы являются основными носителями тока в полупроводнике n-типа?

А) дырки; B) электроны; C) электроны и дырки; D) ионы и электроны; E) ионы и дырки.

9. Теплоемкость кристаллических твердых тел по квантовой теории Дебая при низких температурах пропорциональна

А) Т; B) Т ²; C) Т ³; D) Т^1/2; E) exp(-ћω/kT).

10. Зависимость концентрации электронов от температуры в зоне проводимости некоторого вещества имеет вид n = n₀.exp[ - ΔE/(2kT)]. Этим веществом является:

А) Химически чистый полупроводник;

B) Примесный полупроводник n-типа;

C) Примесный полупроводник р-типа;

D) Металл;

E) Диэлектрик.

11. Внутренний фотоэффект, наблюдаемый в полупроводниках при освещении светом, заключается в:

А) Образовании пар электрон-дырка и увеличении электрической проводимости;

B) Испускании электронов с поверхности вещества;

C) Образовании фото-ЭДС;

D) Нагревании полупроводника;

E) В возбуждении фононов.

12. Модуль Юнга углеродных нанотрубок находится в интервале

А) 0,5 – 1,0 ТПа;

B) 1,0-2,0 ТПа;

C) 1,3 – 1,8 ТПа;

D) 1,5 – 2,5 ТПа.

13. Сколько электронов проводимости в среднем находится в квантовой точке размером 10нм при концентрациях доноров 10¹⁶ – 10¹⁸ см^-3

А) 10 – 10² В) 5 -10 С) 10^-1 D) Электроны отсутствуют

14. Донорными примесями для полупроводников (Si и Ge) являются элементы:

А) I группы; B) II группы; C) III группы; D) IV группы; E) V группы.

15. Фазовые переходы второго рода сопровождаются?

А) Изменением плотности и внутренней энергии

B) Изменением теплоемкости и коэффициента теплового расширения

C) Выделением (поглощением) тепла и

постоянством температуры

D) Выделением (поглощением) тепла и

понижением температуры

16. На графике представлены вольтамперные характеристики (ВАХ) резистора, p-n перехода, двухэлектродной лампы, фотоэлемента. Укажите ВАХ p-n перехода.

А) Кривая 1; B) Кривая 2;)

С) Кривая 3; D) Кривая 4;

E) Такая кривая отсутствует на графике.

17. Куперовская пара это?

А) Фермионы B) Экситоны

C) Бозоны D) Электроны

18. Наноструктура, в которой электроны проводимости локализованы во всех трех измерениях, называется

А) Квантовая яма B) Квантовая точка

C) Квантовая проволока D) Нанотрубка

19. При увеличении диаметра углеродной нанотрубки ее энергетическая щель

A) Уменьшается;

B) Увеличивается;

C) Остается неизменной;

D) Иной ответ.

20. Температура плавления металлов и полупроводников при уменьшении размеров до нанометрового диапазона

А) Увеличивается; В) Уменьшается С) Не изменяется; D) Иной ответ.

Дата добавления: 2015-07-24