Основні параметри некерованих вентилів

Тип діода	Допустимий випростаний струм Іпр.доп (мА)	Допустима зворотна напруга Uзe.дon (В)
1	2	3
КД104А
Д 104	ЗО
Д105	ЗО
Д106	ЗО	ЗО
Д202
КД 103 А
Д7А
КД 106 А
Д229В
КД 205 А
КД 205 К
КД212А
КД212Б
КД226А
КД202В
Д214	10х10^3
Д243	10х10^3
Д104-16	16х10^3
Д104-20	20х10^3

Таблиця ЗД

Основні параметри стабілітронів

Тип стабілітрона	Напруга стабілізації UстН (В)	Допустимий струм	Динамічний опір Rд (Ом)
Мінімальний Іст.мін (мА)	Максимальний Іст.макс (мА))
1	2	3	4	5
КС133А
КС139А	3,9
КС147А	4,7
КС156А	5,6
КС168А	6,8
Д814А
Д814Б
Д814В
Д814Г
Д814Д
Д815Г				1,8
Д815Е				2,5
КС 520 В
Д816А
2С 524 А
2С 530 А
Д816В
Д816Д			ПО
Д817А
Д817Г
2С 920 А
КС630А
КС650А		2,5
КС680А		2,5

Таблиця4Д

Параметри транзисторів

Тип	ІК.доп. мА	ІКЕ.доп В	РК.макс. мВт	UБЕ В	fr МГц	h21E	UКЕ.нас. В
Транзистори середньої потужності n - p - n
КТ-503А						40÷120	0,6
ГТ-404А						30÷80	0,3
ГТ-400Г						60÷150	0,3
р-п-р
КТ-104А		зо				9÷36
КТ-208Д		зо				40÷120	0,4
КТ-502Г						80÷240	0,6
КТ-501Г		зо				20÷60	0,4
ІТ-405Г						60÷150	0,35
Транзистори потужні n - p - n
КТ-807А			10^4			15÷45
КТ-815А	1,5*10^3		10^4			40÷70
КТ-840А	6*10^3		6*10^4			10÷100
КТ-819Б	10^4		6*10^4			20÷30
КТ-819Г	10^4		6*10^4			12÷30
КТ-827А	2*10^4		125*10^4			750÷1800
р-п-р
КТ626Б	0,5*10^3		6,5*10^3			30÷100
КТ814Б	1,5*10^3		10^4				0,6
КТ837А	7,5*10^3		3*10^4		0,01	10÷40	2,5
КТ818А	10^4		5*10^4				1,5
ГТ806Б	15*10^3		3*10^4	1.5		10÷100	0,6
КТ825	2*10^4		125*10^3

Таблиця 5Д

Параметри тиристорів

Тип	Максимально допустимий струм Імакс.доп , А	Максимально допустима напруга Uмакс.доп , В	Струм уримання Іутр.т , А	Струм керування Ікер.т , А	Напруга керування Uкер , В	Час увімкнення tув,мкс	Час увімкнення tвим,мкс	Максимально допустима частота f макс , кГц
Т106-10		100÷800	0,5					2,5
Т112-16		100÷1200	0,5					1,5
ТІ 22-20		100÷1200	0,5					1,5
Т132-25		100÷1200	0,7					1,5
Т142-32		100÷1200	0,7					1,5
Т131-40		100÷1000	0,8	ПО	3,5			1,5
Т141-40		1300÷2000	0,8		3,5			1,5
Т132-50		100÷1200	0,8	ПО	3,5			1,5
ТБ151-50		500÷800	1,0		2,5		16÷32
ТЧ-40		100÷900	1,0		2,5
ТЧ-50		100÷900	1,5		2,5
ТЧ-63		100÷900	1,5	зо	2,5

Таблиця 6Д

Параметри цифрових Інтегральних мікросхем

Типи мікросхем
	КІ55ЛА9	К155 ЛАЗ	К155 АГЗ	К 155 АГ1	К531ЛА9
Логічна операція	4 елементи 2 1—НЕ	4 елементи 2 1—НЕ 6 НЕ	2 одно-вібратори	одновібра-тор	4 елементи 2 1—НЕ
Напруга логічної «1» U1, В	³2,7	³2,7	³2,4	³2,4	³2,4
Напруга логічного «0» U0,В	£0,5	£0,5	£0,4	£0,3	£0,3
Вихідний струм логічного «0» Івих, мА	0,1	—	—	—	0,4
Напруга жив­лення Uж, В	+5	+5	+5	+5	+5
Тип вихідного каскаду	відкритий колекторний вихід транзистора	і	—	—	відкритий колекторний вихід транзистора

Таблиця 7Д Параметри операційних підсилювачів

Параметр	140УД1	140УД7	140УД10	140УД17	153УД1	153УД5	154УД1	154УД3	544УД1
Коефіцієнт підсилення Кх10^3
Граничний рівень вихідної напруги Uмакс, В		±6,5	±12	±12	±12	±12	±13,5	±13,5	±10
Напруга живлення Uж, В		±12,6	±15	±15	±15	±15	±15	±15	±15
Тип вхідного каскаду - (Б- біполярний, У-уніпо- лярний)	-	Б	Б	Б	Б	Б	Б	Б	У
Вхідний струм Івх, нА				2,5

Таблиця 8Д

Шкала номінальних величин х 10ⁿ

Дата добавления: 2015-07-18