Читайте также: |
|
Схема формувача керуючих сигналів германієвих ЕК (рис. 101, б) складається з транзисторів VT\ і VT2 різного типу провідності, чим забезпечується різнонаправлений струм у первинній обмотці вихідного трансформатора ФСК. Внаслідок цього отримаємо відповідні полярності напруги керування Uкep для відкривання та закривання силового ЕК. Транзистори VT1 і VT2 увімкнені за схемою емітерного повторювача із спільним навантаженням — первинною обмоткою трансформатора Т. Розрахункове значення коефіцієнта, трансформації якого визначають за виразом
Струм емітера транзисторів VT1 або VT2 у режимі формування керуючого відкриваючого сигналу ІЕ та струм бази насичення визначають за виразами
За значеннями ІКмакс≈ІЕ і UKЕмакс = 2Uж вибирають типи транзисторів VT1 і VT2, а за значеннями Iа = IБнас і Uзв = Uвих.максСП — типи імпульсних діодів VD1 і VD2.
Після вибору елементів необхідно перевірити достатність вихідного струму вибраного операційного підсилювача для схеми порівняння: Івих.СП≥ІБнас- Якщо ця умова не забезпечується, то на виході СП вмикають додатковий підсилювальний каскад на транзисторі. Опір струмообмежуючого резистора в колі баз транзисторів VT1 і
VT2 визначають так:
Розрахунок системи широтно-імпульсного керування рекомендується проводити за алгоритмом (рис. 102), де подана послідовність розрахунку, а також виділені основні вхідні та вихідні параметри окремих функціональних елементів.
Рис. 102. Алгоритм розрахунку системи широтно-імпульсного керування
Дата добавления: 2015-07-18; просмотров: 40 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
ФКС кремнієвих силових транзисторів | | | Формувачі керуючих сигналів для тиристорних ЕК |