Рования в призме при

выдерживании размера n.

Тогда полный дифференциал по формуле (3):

DL = ,

а поле рассеяния, соответствующее действительной погрешности базирования, составит:

e_{б.действ} . (10)

При g = 0°, имеем:

e_{б.действ} .

При g = 90° и a = 180° оказывается, что e_{б.действ} = Т_D.

Сопоставление различных схем базирования

Допустим, что у шайбы, показанной на рис. 9,а, нужно просверлить отверстие и выдержать размер m с соответствующим допуском. Сравним при помощи выведенных зависимостей две схемы кондукторов, схематически показанных на рис. 9,б и в.

а) б) в)

Рис. 9. Варианты конструкции сверлильного приспособления - кондуктора.

Схема кондуктора на рис. 9,б аналогична схеме, приведенной для размера m выше (см. рис. 2) при g = 0° (см. рис. 5). Поэтому

e’_{б.действ} .

Схема кондуктора на рис. 9,в аналогична схеме, приведенной выше для размера n (см. рис. 2), следовательно,

e’’_{б.действ} .

Отношение

(11)

.

При a=90°

Таким образом, несущественная, с первого взгляда, разница в схемах конструкций кондукторов ведет к увеличению значения e_{б.действ} при второй схеме по сравнению с первой почти в 6 раз.

Базирование по коническому отверстию

Требуется проточить цилиндрическую поверхность 1 (см. рис. 10) и подрезать торцевую поверхность 2, выдержав размер a.

Рис. 10. Схема базирования заготовки по конусу: 1,2,3,5 - поверхности заготовки;

---

Дата добавления: 2015-07-17