Составные транзисторы

Упрощение конструкции некоторых узлов радиоэлектронной аппаратуры, повышение ее надежности, уменьшение массы, габаритов и стоимости могут быть достигнуты применением так называемых составных транзисторов.

Схема составного транзистора показана на рис. 5.9. Он состоит из двух биполярных транзисторов V1 и V2; первый из них, менее мощный, включен по схеме с общим коллектором, нагрузкой его является цепь базы второго транзистора. Резисторы R1 и R2 выравнивают распределение напряжения входного сигнала между входами первого и второго транзисторов; величина этих сопротивлений невелика, например для составного транзистора КТ827 она составляет 10 кОм и 100 Ом соответственно.

Транзисторы V1 и V2, изготовляемые на одном кремниевом кристалле, функционируют как один мощный транзистор с большим коэффициентом передачи тока (750 – 10000), равным произведению коэффициентов передачи тока обоих транзисторов.

Входная характеристика составного транзистора показана на рис. 5.10. Основную часть тока базы составляет ток шунтирующей цепи R1, R2, поэтому

оба участка характеристики практически линейны. Излом характеристики соответствует включению первого транзистора, при этом вход его шунтирует резистор R1 и входное сопротивление существенно снижается.

Рис. 5.9 Рис. 5.10

Выходные характеристики составного транзистора при малых величинах коллекторного тока определяются первым транзистором, так как в этом режиме

напряжение база – эмиттер второго транзистора еще не достигает значения, необходимого для его включения (<0,6 В). При достаточно высоком напряжении на входе происходит усиление тока вторым транзистором, результирующий коэффициент передачи тока значительно возрастает. Выходные характеристики составного транзистора при больших токах показаны на рис. 5.28. Их особенностью является существенная нелинейность.

Рис. 5.11

Мощные составные транзисторы эффективно
применяются в усилителях низкой частоты, стабилизи
рованных вторичных источниках питания, импульсных усилителях, ключевых схемах. Предельные режимы их определяют так же, как и для одиночных биполярных транзисторов.

Дата добавления: 2015-07-15