Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Фототиристоры

Тиристорные четырехслойные струк­туры р — п-р-п (рис.) могут уп­равляться световым потоком, подобно тому как. триодные тиристоры управля­ются напряжением, подаваемым на один из эмиттерных переходов. При действии света на область базы pt1 в этой об­ласти генерируются электроны и дырки, которые диффундируют к п — р-переходам. Электроны, попадая в область перехода П2, находящегося под обрат­ным напряжением, уменьшают его со­противление. За счет этого происходит перераспределение напряжения, прило­женного к тиристору: напряжение на переходе П2 несколько уменьшается, а напряжения на переходах П1 и П3 не­сколько увеличиваются. Но тогда уси­ливается инжекция в переходах П1 и П3, к переходу П2 приходят инжекти­рованные носители, его сопротивление снова уменьшается и происходит допол­нительное перераспределение напряже­ния, еще больше усиливается инжекция в переходах П1 и П3, ток лавинообраз­но нарастает (см. штриховые линии на рис. 13.14), т. е. тиристор отпирается. Чем больше световой поток, дей­ствующий на тиристор, тем при мень­шем напряжении включается тиристор. После включе­ния на тиристоре устанавливается, как обычно, небольшое напряжение и почти все напряжение источника Е падает на нагрузке. Иногда у фототиристора бы­вает сделан вывод от одной из базовых областей (p1 или п2). Если через этот вывод подавать на соответствующий эмиттерныи переход прямое напряжение, то можно понижать напряжение вклю­чения. Само включение по-прежнему будет осуществляться действием свето­вого потока.

 

 

 


Дата добавления: 2015-07-15; просмотров: 103 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Статические характеристики биполярного транзистора. | Малосигнальные параметры (h-параметры). | Основные параметры биполярных транзисторов. | Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом. | Статические характеристики полевых транзисторов. | Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом. | Триодные тиристоры(тринисторы). Принцип работы. | Симметричные тиристоры (диак и триаки). Принцип работы. | Фоторезистор. Принцип работы | Фотодиод. Принцип работы |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Фототранзисторы| Изучающие полупроводниковые приборы.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)