Фототранзисторы

Значительно выше по сравнению с фотодиодами интегральная чувствитель­ность у фототранзисторов. Биполярный фототранзистор представляет собой обычный транзистор, но в корпусе его сделало прозрачное «окно», через кото­рое с ветовойпоток может воздейство­вать на областьбазы. Схема включения биполярного фототранзистора типа р — п — р со «свободной», т. е. никуда не включенной, базой. Как обычно, на эмиттерном переходе напряжение прямое, а на коллекторном — обратное. Фотоны вызывают в базе генерацию пар носителей заряда — электронов и дырок. Они диффундирую! к коллектор­ному переходу, в котором происходит их разделение так же, как и в фото­диоде. Дырки под действием поля кол­лекторного перехода идут из базы в кол­лектор и увеличивают ток коллектора. А электроны остаются в базе и повы­шают прямое напряжение эмиттерного перехода, что усиливает инжекцию дырок в этом переходе в этом переходе. За счет этого дополнительно увеличивается ток кол­лектора. В транзисторе типа п — р — п все происходит аналогично. Параметры фототранзисторов — ин­тегральная чувствительность, рабочее напряжение (10—15 В), темновой ток (до сотен микроампер), рабочий ток (до десятков миллиампер), максимальная допустимая рассеиваемая мощность (до десятков милливатт), граничная частота.

Дата добавления: 2015-07-15