Тактовая частота модулей памяти.

При покупке памяти важно принять во внимание частоту, на которой она работает. Рекомендуется, чтобы эта частота совпадала с частотой, поддерживаемой материнской платой. Например, если вы поставите память DDR2-800 в слот, поддерживающий только DDR2-667, то эта память будет работать как DDR-667 (т.е понизятся её частота и пропускная способность). Иногда это может приводить даже к ошибкам при загрузке операционной системы или в ходе её работы.

Так как рассматриваемая нами память - типа DDR (Double Data Rate), то за 1 такт производится 2 операции с данными. Поэтому для вычисления тактовой частоты памяти нужно частоту её шины умножить на 2. Также тактовая частота указана в типе чипа. Например DDR3-1066. Это значит, что память работает на частоте 1066 МГц. Соответственно, чем выше частота, тем выше производительность ОЗУ.

Сейчас самой распространённой является память типа DDR2 на 800 и 1066 МГц. Постепенно набирает популярность память типа DDR3 на тактовой частоте 1066 МГц и выше. DDR3 пока что ещё дороже памяти DDR2

Тайминги памяти

Задание: Дать определение термину «тайминг памяти», записать основные тайминги памяти, записать в тетрадь формулы соотношения между таймингами (минимальное время активности строки и минимальное время цикла строки), записать в тетрадь схему таймингов

Немаловажной категорией характеристик микросхем/модулей памяти являются «тайминги памяти» — понятие, наверняка так или иначе знакомое каждому пользователю ПК. Понятие «таймингов» тесно связано с задержками, возникающими при любых операциях с содержимым ячеек памяти в связи со вполне конечной скоростью функционирования устройств SDRAM, как и любых других интегральных схем. Задержки, возникающие при доступе в память, также принято называть «латентностью» памяти (этот термин не совсем корректен, и пришел в обиход с буквальным переводом термина latency, означающего «задержка»).

В этом разделе мы рассмотрим, где именно возникают задержки при операциях с данными — содержимым микросхем памяти, и как они связаны с важнейшими параметрами таймингов памяти. Поскольку в настоящем руководстве мы рассматриваем модули памяти класса SDRAM (SDR, DDR и DDR2), ниже мы рассмотрим конкретную схему доступа к данным, содержащимся в ячейках памяти микросхемы SDRAM. В этом разделе мы также рассмотрим несколько иную категорию таймингов, связанных не с доступом к данным, но с выбором номера физического банка для маршрутизации команд по командному интерфейсу модулей памяти класса SDRAM — так называемые «задержки командного интерфейса».

Дата добавления: 2015-07-11