Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Соотношения между таймингами

Читайте также:
  1. A) Необходимые соглашения об эффективной связи между различными звеньями сети, реализованные в виде библиотек процедур, соответствующих уровню обработки сообщения
  2. http://www.islamrf.ru/news/w-news/world/32732 Международная правозащитная организация осудила Египет за контроль над интернетом
  3. I. По отношениям поземельным между помещиками
  4. II. Гармония между наукой и искусством, между положительной теорией и практикой
  5. II. Соотношение — вначале самопроизвольное, затем систематическое — между положительным мышлением и всеобщим здравым смыслом
  6. Kees Sal, 3-й Вице-президент Международной Ассоциации
  7. Moderato (модерато) - обозначение темпа: умеренно, между andante и allegro.

В заключение этой части, посвященной задержкам при доступе к данным, рассмотрим основные соотношения между важнейшими параметрами таймингов на примере более простых операций чтения данных. Как мы рассмотрели выше, в самом простейшем и самом общем случае — для пакетного считывания заданного количества данных (2, 4 или 8 элементов) необходимо осуществить следующие операции:

1) активизировать строку в банке памяти с помощью команды ACTIVATE;

2) подать команду чтения данных READ;

3) считать данные, поступающие на внешнюю шину данных микросхемы;

4) закрыть строку с помощью команды подзарядки строки PRECHARGE (как вариант, это делается автоматически, если на втором шаге использовать команду «RD+AP»).

Временной промежуток между первой и второй операцией составляет «задержку между RAS# и CAS#» (tRCD), между второй и третьей — «задержку CAS#» (tCL). Промежуток времени между третьей и четвертой операциями зависит от длины передаваемого пакета. Строго говоря, в тактах шины памяти он равен длине передаваемого пакета (2, 4 или 8), поделенного на количество элементов данных, передаваемых по внешней шине за один ее такт — 1 для устройств типа SDR, 2 для устройств типа DDR. Условно назовем эту величину «tBL».

Важно заметить, что микросхемы SDRAM позволяют осуществлять третью и четвертую операции в некотором смысле «параллельно». Чтобы быть точным — команду подзарядки строки PRECHARGE можно подавать за некоторое количество тактов x до наступления того момента, на котором происходит выдача последнего элемента данных запрашиваемого пакета, не опасаясь при этом возникновения ситуации «обрыва» передаваемого пакета (последняя возникнет, если команду PRECHARGE подать после команды READ с временным промежутком, меньшим x). Не вдаваясь в подробности, отметим, что этот промежуток времени составляет величину, равную величине задержки сигнала CAS# за вычетом единицы (x = tCL - 1).

Наконец, промежуток времени между четвертой операцией и последующим повтором первой операции цикла составляет «время подзарядки строки» (tRP).

В то же время, минимальному времени активности строки (от подачи команды ACTIVATE до подачи команды PRECHARGE, tRAS), по его определению, как раз отвечает промежуток времени между началом первой и началом четвертой операции. Отсюда вытекает первое важное соотношение между таймингами памяти:

tRAS, min = tRCD + tCL + (tBL - (tCL - 1)) - 1,

где tRCD — время выполнения первой операции, tCL — второй, (tBL - (tCL - 1)) — третьей, наконец, вычитание единицы производится вследствие того, что период tRAS не включает в себя такт, на котором осуществляется подача команды PRECHARGE. Сокращая это выражение, получаем:

tRAS, min = tRCD + tBL.

Достаточно поразительный вывод, вытекающий из детального рассмотрения схемы доступа к данным, содержащимся в памяти типа SDRAM, заключается в том, что минимальное значение tRAS не зависит(!) от величины задержки CAS#, tCL. Зависимость первого от последнего — достаточно распространенное заблуждение, довольно часто встречающееся в различных руководствах по оперативной памяти.

В качестве примера первого соотношения, рассмотрим типичную высокоскоростную память типа DDR с величинами задержек (tCL-tRCD-tRP) 2-2-2. При минимальной длине пакета BL = 2 (минимально возможной для DDR) необходимо затратить не менее 1 такта шины памяти для передачи пакета данных. Таким образом, в этом случае минимальное значение tRAS оказывается равным 3 (столь малое значение tRAS не позволяет выставить подавляющее большинство контроллеров памяти). Передача более длинных пакетов, состоящих из 4 элементов (BL = 4, tBL = 2), увеличивает это значение до 4 тактов, наконец, для передачи максимального по длине 8-элементного пакета (BL = 8, tBL = 4) требуемое минимальное значение tRAS составляет 6 тактов. Отсюда следует, что, поскольку большинство контроллеров памяти не позволяют указать значение tRAS < 5, разумно настроить подсистему памяти таким образом, чтобы длина передаваемого пакета была максимальной (BL = 8, в том случае, если этот параметр присутствует в настройках подсистемы памяти в BIOS материнской платы), а величина tRAS принимала значение, равное 6. Альтернативный вариант — BL = 4, tRAS = 5.

Второе важное соотношение между таймингами вытекает из того факта, что полный цикл пакетного чтения данных — от 1-й стадии до ее повторения — именуется собственно «минимальным временем цикла строки», tRC. Поскольку первые три стадии, как мы показали выше, не могут занимать время, меньшее tRAS, а последняя занимает время, строго равное tRP, получаем:

tRC = tRAS + tRP.

Заметим, что некоторые контроллеры памяти (например, интегрированный контроллер памяти процессоров AMD64) позволяют независимо устанавливать значения таймингов tRAS и tRC, что в принципе может привести к несоблюдению указанного выше равенства. Тем не менее, особого смысла это неравенство не имеет — оно лишь будет означать, что параметры tRAS, либо tRC будут автоматически «подстроены» (в сторону большего значения) для соблюдения рассмотренного равенства.


Дата добавления: 2015-07-11; просмотров: 83 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Задание: записать в тетрадь расшифрованную аббревиатуру SDRAM и дать определение каждому термину | Задание: Описать в тетради физическую организацию микросхемы памяти и кратко описать принцип работы | Задание: Описать в тетради логическую организацию микросхемы памяти | Задание: Записать в тетрадь технические характеристики модулей памяти | Тактовая частота модулей памяти. |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Чтение/запись данных| DDR/DDR2 SDRAM: Отличия от SDR SDRAM

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)