С рассеиваемой мощностью более 1.5 Вт

Принятые обозначения:

I_к – максимально допустимый постоянный ток коллектора;

I_{к макс имп} – максимально допустимый импульсный ток коллектора;

U_{кэ макс} – максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер;

U _{кэ нас} – напряжение насыщения коллектор-эмиттер;

h₂₁ – статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером;

t_i – время: Р – рассасывания, В – включения. Ы – выключения,

С –спада импульса.

Тип транзистора	Тип проводимости	Iк (Iк макс имп), А	Uкэ макс, (Uкэ нас ), В	Pк макс, Вт	h21	ti, мкС
2Т506А	n-p-n	2(5)	800(0,6)		30…150	2,5P
2T506Б	n-p-n	2(5)	600(0,6)		30…150	3,5P
2T812A	n-p-n	10(17)	700(2,5)		5…30	1,3C
2T812Б	n-p-n	10(17)	500(2,5)		5…30	1,3C
2T818A	p-n-p	15(20)	100(1)			2,5Ы
2T818Б	p-n-p	15(20)	80(1)			2,5Ы
2Т818В	p-n-p	15(20)	60(1)			2,5Ы
2Т819А	n-p-n	15(20)	100(1)			2,5Ы
2Т819Б	n-p-n	15(20)	80(1)			2,5Ы
2Т819В	n-p-n	15(20)	60(1)			2,5Ы
2Т827А	n-p-n	20(40)	100(2)		750…18000	4,5Ы
2Т827Б	n-p-n	20(40)	80(2)		750…18000	4,5Ы
2Т827В	n-p-n	20(40)	60(2)		750…18000	4,5Ы
2Т830А	p-n-p	2(4)	30(0,6)		25…55	0,8В
2Т830Б	p-n-p	2(4)	50(0,6)		25…55	0,8В
2Т830В	p-n-p	2(4)	70(0,6)		25…55	0,8В
2Т830Г	p-n-p	2(4)	90(0,6)		20…50	0,8В
2Т831А	n-p-n	2(4)	30(0,6)		25…200	0,8В
2Т831Б	n-p-n	2(4)	50(0,6)		25…200	0,8В
2Т831В	n-p-n	2(4)	70(0,6)		25…200	0,8В
2Т831Г	n-p-n	2(4)	90(0,6)		20…150	0,8В
2Т841А	n-p-n	10(15)	600(1,5)		12…45	1,2Р
2Т841Б	n-p-n	10(15)	400(1,5)		12…45	1,2Р
2Т847А	n-p-n	15(25)	650(1,5)		8…25	0,8С

Продолжение таблицы П.7

Тип транзистора	Тип проводимости	Iк (Iк макс имп), А	Uкэ макс, (Uкэ нас ), В	Pк макс, Вт	h21	ti, мкС
2Т847Б	n-p-n	15(25)	650(1,5)			3Р
2Т848А	n-p-n		400(2)			fгр=3МГц
2Т856А	n-p-n	10(12)	950(1,5)		10…30	2Р
2Т856Б	n-p-n	10(12)	750(1,5)		10…60	2Р
2Т862А	n-p-n	15(30)	250(2)		10…100	1Р
2Т862Б	n-p-n	15(25)	250(2)		10…100	1Р
2Т862В	n-p-n	10(15)	350(1,5)		12…50	2Р
2Т862Г	n-p-n	10(15)	400(1,5)		12…50	2Р
2Т866А	n-p-n	20(20)	160(1,5)		15…100	0,1С
2Т867А	n-p-n	25(40)	300(1,2)		12…100	1,3Р
2Т878А	n-p-n	25(30)	800(1,5)		12…50	2,5Р
2Т878Б	n-p-n	25(30)	800(1,5)		12…50	2,5Р
2Т878В	n-p-n	25(30)	600(1,5)		12…50	2,5Р
2Т885А	n-p-n	40(60)	400(2,2)			2Р
2Т885Б	n-p-n	40(60)	500(2,5)			2Р
2Т887А	p-n-p	2(5)	700(1,4)		20…120	(0,7…5) Р
2Т887Б	p-n-p	2(5)	600(1,4)		20…120	(0,7…5) Р
2Т888А	p-n-p	0,1(0,2)	900(1)		30…120	1,5Р
2Т888Б	p-n-p	0,1(0,2)	600(1)		30…120	1,5Р
2Т892А	n-p-n	15(30)	400(1,8)			5Ы
2Т892Б	n-p-n	15(30)	350(1,8)			5Ы

Таблица П.8

Параметры полевых переключательных транзисторов

С рассеиваемой мощностью более 2 Вт

Принятые обозначения:

U_{ск макс} – максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток;

I_{с макс} – ток стока;

R_{си откр} – сопротивление сток-исток в открытом состоянии;

Р_макс – максимально допустимая мощность рассеивания.

Тип прибора	Тип проводимости	Uси, В	Iс макс, А	Rсн откр, Ом	Рмакс, Вт
2П701А	n		5…17	3,5	17,5
2П701Б	n		2,8
КП702А	n		8…16		17,5
2П703А	n		12…25	1,1
2П703Б	n	0,9
КП704А	n			0,35
КП704Б	n	0,5
КП705А	n		5,4	4,3
КП705Б	n		5,4	3,3
КП705В	n		5,4	3,3
2КП706А	n			0,8
2П706Б	n		0,5
2П706В	n		0,65
КП707А	n
КП707Б	n
КП707В	n
КП707Г	n			2,5
КП707Д	n			1,5
КП707Е	n			5,0
КП709А	n
КП709Б	n			2,5
2П802А	СИТ		2,5
2П803А	n		2,6
2П803Б	n			4,5
2П804	n			0,45
КП805А	n			2,0
КП805Б	n			2,5
КП805В	n			2,0
КП809А	n			0,3
КП809Б	n			0,6
КП809В	n			1,2
КП809Г	n			1,5
КП809Д	n			1,8
КП809Е	n			2,5

Продолжение таблицы П.8

Тип прибора	Тип проводимости	Uси , В	Iс макс, А	Rси откр, Ом	Рмакс, Вт
КП810А	СИТ			0,2
КП810Б	СИТ
КП810В	СИТ
КП812А	n			0,03
КП813А	n			0,12
КП813Б	n			0,18
2П815А	n			0,3
2П815Б	n			0,8
2П815В	n			0,5
2П815Г	n			1,0
2П816А	n
2П816Б	n
2П816В	n			1,2
2П816Г	n			1,2
КП921А	n			0,13
2П922А	n			0,2
2П922Б	n	0,4
2П926А	СИТ		16,5	0,1
2П926Б	СИТ
2П934А	СИТ			0,07
КП946А	СИТ			0,15
КП946Б	СИТ
КП948А	СИТ			0,15
КП948Б	СИТ
КП948В	СИТ
КП948Г	СИТ
КП953А	СИТ			0,06
КП953Б	СИТ
КП953В	СИТ
КП953Г	СИТ
КП954А	СИТ			0,03
КП954Б	СИТ
КП954В	СИТ		0,02
КП954Г	СИТ
КП955А	СИТ			0,05
КП955Б	СИТ		0,04
КП956А	СИТ			0,4
КП956Б	СИТ
КП957А	СИТ			0,6
КП957Б	СИТ

Таблица П.9

Диоды выпрямительные и наборы диодов со средним значением прямого тока не более 10А

Принятые обозначения в таблицах П.9, П.10:

U_{обр макс} – максимально допустимое постоянное (импульсное) обратное напряжение; I_{пр, ср макс,} –максимально допустимый средний прямой ток; I_{пр, уд,} – ударный прямой ток; f_пред. – предельная частота.

Тип диода	Uобр макс, В	Iпр, ср макс, А	Iпр, уд, А	fпред. кГц
2Д203А	420(600)
2Д203Б	560(800)
2Д203В	560(800)
2Д203Г	700(1000)
2Д203Д	700(1000)
2Д204А	400(400)	0,4
2Д204Б	200(200)	0,6
2Д204В	50(50)
2Д206А
2Д206Б
2Д206В
2Д210А
2Д210Б
2Д210В
2Д210Г
2Д212А	200(200)	-
2Д212Б	100(100)
2Д213А	200(200)
2Д213Б	200(200)
2Д213В	100(100)
2Д213Г	100(100)
2Д219А	15(15)
2Д219Б	20(20)
2Д220А	400(400)
2Д220Б	600(600)
2Д220Д	800(800)
2Д220Г	1000(1000)
2Д220Д	400(400)
2Д220Е	600(600)
2Д220Ж	800(800)
2Д220И	1000(1000)
2Д222АС	20(20)		-
2Д222БС	30(30)
2Д222ВС	40(40)
2Д222ГС	20(20)
2Д222ДС	30(30)
2Д222ЕС	40(40)

Продолжение таблицы П.9

Тип диода	Uобр макс, В	Iпр, ср макс, А	Iпр, уд, А	fпред. кГц
2Д230А	400(400)
2Д230Б	600(600)
2Д230В	800(800)
2Д230Г	1000(1000)
2Д230Д	400(400)
2Д230Е	600(600)
2Д230Ж	800(800)
2Д230И	1000(1000)
2Д230К	100(100)
2Д230Л	200(200)
2Д231А			-
2Д231Б
2Д231В
2Д231Г
2Д234А	100(100)			-
2Д234Б	200(200)
2Д234В	400(400)
2Д236А	600(600)
2Д236Б	800(800)
2Д237А	100(100)
2Д237Б	200(200)
2Д238АС	25(25)	7,5
2Д238БС	35(35)
2Д238ВС	45(45)
2Д245А	400(400)
2Д245Б	200(200)
2Д251А			-
2Д251Б
2Д251В
2Д251Г
2Д251Д
2Д251Е
2Д253А	800(800)
2Д253Б	800(800)
2Д253В	600(600)
2Д253Г	660(600)
2Д253Д	400(400)
2Д253Е	400(400)
2Д254А	1000(1000)
2Д254Б	800(800)
2Д254В	600(600)
2Д254Г	400(400)
2Д255А-5	60(60)
2Д255Б-5	80(80)
2Д255В-5	100(100)

Таблица П.10

Дата добавления: 2015-07-07