Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

FLASH память программ

Читайте также:
  1. A) Act out the flash of conversation using the substitutions for the phrase in italics.
  2. Act out the flash of conversation using the substitutions for the phrase in italics.
  3. Act out the flashes of conversation using the substitutions for the word and phrase in italics.
  4. CALL — Вызов подпрограммы
  5. EPROM (Erasable PROM – стираемая программируемая память только для чтения) - позволяет многократно изменять информацию хранящуюся в микросхеме, стирая перед этим старую.
  6. Flash, App Store и контроль

Память программ предназначена для хранения кода исполняемой программы и неизменяемых данных, то есть констант. Чтение и запись информации из FLASH памяти программ осуществляются аналогично чтению и записи информации в энергонезависимую EEPROM память данных, и будут рассмотрены ниже. Запись программы во FLASH память осуществляется с помощью программатора-отладчика PICkit 2, для этого используются три вывода микроконтроллера: PGD – вход данных, PGC – вход синхронизации и PGM – вход выбора режима низковольтного программирования.

Карта памяти программ микроконтроллера PIC16F873A приведена на рис. 2.1.

Рис. 2.1. Организация FLASH памяти программ

Оперативная память данных – регистровый файл.

Оперативная память данных предназначена для хранения информации с которой работает микроконтроллер.

Чтение и запись информации в память данных производится самим микроконтроллером при выполнении любой команды, имеющей в качестве операнда регистр общего или специального назначения. При обращении к памяти данных возможно два способа адресации: прямая и косвенная. При прямой адресации адрес ячейки памяти указывается непосредственно в операнде команды. При косвенной адресации фактический адрес ячейки памяти помещается в регистр адреса FSR, а в самой команде в качестве операнда указывается физически не реализованный регистр INDF.

 

Рис. 2.2 Организация оперативной памяти данных

 

Вся память данных распределена между регистрами общего и специального назначения и разделена на четыре банка. Первые 32 ячейки в каждом банке зарезервированы под РСН, а 96 ячеек банка 0 и банка 1 занимают РОН. Выбор активного банка осуществляется изменением соответствующих разрядов регистра STATUS: RP0 и RP1 при прямой адресации, или IRP при косвенной.

Карта оперативной памяти данных приведена на рис. 2.2.

Следует отметить, что обращение к РСН в программе возможно, как путем указания их фактического шестнадцатеричного адреса, так и путем указания их символьного имени. В последнем случае в состав исходного текста программы необходимо включить директиву Ассемблера #include p16f873a.inc, подключающую файл соответствия символьных обозначений числовым значениям адресов для данного микроконтроллера. Символьными именами можно обозначать и отдельные биты РСН.


Дата добавления: 2015-07-08; просмотров: 276 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: ВВЕДЕНИЕ | Компиляция исходного текста программы в машинные коды | Разработка алгоритма программы | Написание текста программы на языке Ассемблер | Тестирование и отладка | Разработка алгоритма программы | Написание текста программы на языке Ассемблер | Трансляция текста программы в машинные коды | Разработка алгоритма программы | Написание текста программы на языке Ассемблер |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Отладка (выполнение) программы| Энергонезависимая память данных EEPROM

mybiblioteka.su - 2015-2021 год. (0.007 сек.)