Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Вопрос 25. Принцип работы биполярного транзистора с общей базой при подаче синусоидального напряжения.

Вопрос 12. Магнитопроводы трансформаторов и их конструктивные особенности. | Вопрос 14. Полупроводниковые диоды, особенности работы и обозначения. | Вопрос 15. Выпрямительные и универсальные диоды, конструктивные особенности, параметры и характеристики. | Вопрос 16. Импульсные диоды, особенности работы, параметры и характеристики. | Вопрос 17. Принцип работы стабилитронов, основные параметры и характеристики и схема включения. | Вопрос 18. Варикапы, схема включения, принцип работы и основные параметры и характеристики, область использования. | Вопрос 19. Туннельные и обращаемые диоды основные параметры и характеристики. | Вопрос 20. Конструктивные особенности СВЧ диодов, классификация и область использования. | Вопрос 21. Биполярные транзисторы, физические процессы и их обозначение. | Вопрос 22. Активный режим работы БТ с ОБ, входные и выходные характеристики и параметры. |


Читайте также:
  1. C. Принцип ДВУединства.
  2. D) Принцип ВзаимоЗАМЕНЫ частей и целого.
  3. D. Принцип ТРИединства.
  4. I. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
  5. I. Основные задачи, принципы и уровни политики занятости и регулирования рынка труда
  6. I.6. Работа и теплота. Свойства работы и теплоты.
  7. II Требования охраны труда перед началом работы.

 

Будем считать, что источник сигнала по отношению к транзистору является генератором тока iГ  IГm sin  t, где IГm=EГm/RГ. Тогда полный входной ток транзистора можно считать известным
. (3.43)

Сопротивление нагрузки будем считать большим RН >> RК.

Для описания работы транзистора воспользуемся семейством выходных характеристик (рис. 3.31) iК=f(iБ,uКЭ). Учитывая, что характеристика резистора RК подчиняется закону Ома, получим: ,

где (EК - uКЭ) - падение напряжения на резисторе RК. Это уравнение называется уравнением нагрузочной линии. Ее график имеет вид прямой линии, проходящей через точку EК на оси абсцисс и через точку EК /RК, на оси ординат. Чем меньше RК, тем более круто проходит нагрузочная линия. Поскольку через транзистор и RК протекает один и тот же ток iК, то его величина и напряжение uКЭ могут быть найдены путем решения системы уравнений:

. (3.44)

Эта система уравнений может быть решена графически, путем нахождения точек пересечения нагрузочной линии с графиками выходных характеристик транзистора. Для определения параметров режима по постоянному току примем eГ =0. Тогда значения постоянной составляющей тока коллектора IК (0) и напряжения UКЭ (0) определяются пересечением нагрузочной линии и статической характеристики транзистора, снятой при iБ =IБ (0), - см. рис. 3.31, точка А.

При подаче на вход каскада напряжения eГ ток базы будет изменяться относительно IБ (0) по синусоидальному закону с амплитудой

 

и рабочая точка будет перемещаться по нагрузочной линии между точками B и C. Соответственно будет изменяться ток коллектора с амплитудой IКm около значения IК (0) и напряжение на коллекторе с амплитудой UКm около значения UКЭ (0). При этом ток коллектора iК будет находиться в фазе с током базы iБ, а выходное напряжение uКЭ в противо-фазе. (Увеличению тока базы соответствует увеличение тока коллектора и уменьшение напряжения на коллекторе. См. рис. 3.31).

 


Дата добавления: 2015-09-02; просмотров: 120 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Вопрос 23. Активный режим работы БТ с ОЭ, входные и выходные характеристики и параметры.| Вопрос 26. Принцип работы биполярного транзистора с общим эмиттером при подаче синусоидального напряжения.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)