Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Вопрос 22. Активный режим работы БТ с ОБ, входные и выходные характеристики и параметры.

Вопрос. Основные параметры и характеристики катушек индуктивности. | Вопрос 11. Особенности работы трансформаторов и их классификация. | Вопрос 12. Магнитопроводы трансформаторов и их конструктивные особенности. | Вопрос 14. Полупроводниковые диоды, особенности работы и обозначения. | Вопрос 15. Выпрямительные и универсальные диоды, конструктивные особенности, параметры и характеристики. | Вопрос 16. Импульсные диоды, особенности работы, параметры и характеристики. | Вопрос 17. Принцип работы стабилитронов, основные параметры и характеристики и схема включения. | Вопрос 18. Варикапы, схема включения, принцип работы и основные параметры и характеристики, область использования. | Вопрос 19. Туннельные и обращаемые диоды основные параметры и характеристики. | Вопрос 20. Конструктивные особенности СВЧ диодов, классификация и область использования. |


Читайте также:
  1. I. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
  2. I.6. Работа и теплота. Свойства работы и теплоты.
  3. II Требования охраны труда перед началом работы.
  4. II этап работы
  5. II. Взаимосвязь социальной политики и социальной работы
  6. II. Гигиенические требования к режиму дня
  7. II. Требования к оформлению текста дипломной работы.

 

Схема с ОБ.

 

Входная характеристика: iЭ = f (UЭБ) при UКБ = const(рисунок 7).

При UКБ1 = 0 входная характеристика представляет собой обычную ВАХ прямосмещенного p-nперехода. При UКБ ≠ 0: когдаUЭБ = 0. т.е. ЕЭ = 0 имеем следующие процессы. В выходной цепи существует ток. Неосновные носители заряда проходя через узкую и достаточно длинную n-область создают разность потенциалов, который обеспечивает начальный ток эмиттера, т.е. при UКБ2 ≠ 0 происходит смещение ВАХ вверх по оси токов. С увеличением UКБсмещение будет увеличиваться, т.к. будет возрастать начальный ток эмиттера.

Выходная характеристика: iК = f (UКБ) при IЭ = const(рисунок 8).

При IЭ = 0 входная цепь разорвана и выходная ВАХ представляет собой ВАХ обратносмещенного p-nперехода.

При увеличении IЭ. При подключении ЕЭ и отсутствии ЕК IK создается основными носителями заряда инжектированными эмиттером. При подключении ЕК ток начнет увеличиваться из-за неосновных носителей базы. Но есть еще одно обстоятельство. При увеличении ЕК, коллекторный переход, находящийся под обратным смещением начнет уменьшаться. А значит дырке из эмиттера нужно пройти меньшее расстояние, чтобы попасть из базы вp-область, т.е. уменьшается вероятность ее рекомбинации – эффект модуляции тока. За счет этой составляющей коллекторный ток также увеличивается.

В сочетании с нагрузочной прямой по ВАХ можно получить реальный режим работы. При увеличении тока эмиттера увеличивается ток коллектора и уменьшается напряжение на нем. Существуют предельные значения напряжения UКБ и IК. Следовательно, существует и предельно допустимая мощность, выражаемая гиперболой. Этими границами руководствуются при выборе нагрузки, т.к. нагрузочная прямая не должна лежать за пределами границ.

 


Дата добавления: 2015-09-02; просмотров: 81 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Вопрос 21. Биполярные транзисторы, физические процессы и их обозначение.| Вопрос 23. Активный режим работы БТ с ОЭ, входные и выходные характеристики и параметры.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)