Полупроводниковые и интерметаллические соединения

Большой интерес к полупроводниковым соединениям — не только научный, но и практический — объясняется широкими возможностями их применения, в том числе при изготовлении транзисторов, выпрямляющих и туннельных диодов, квантовых генераторов, солнечных батарей, термоэлектрических преобразователей энергии, магниторезистивных регуляторов. Однако получать такие соединения гораздо сложнее, чем в случае элементарных полупроводников — германия и кремния. Очень просто приготовить интерметаллическое соединение InSb — достаточно смешать расплавы двух компонентов в стехиометрическом соотношении. Но получить полупроводниковое соединение InSb гораздо труднее. Незначительные отклонения от стехиометрического состава заметно отражаются на свойствах соединения как полупроводника. При комнатной температуре нельзя провести нужные электрические измерения, да и в других отношениях эти измерения гораздо сложнее, чем в случае германия. Проблема отклонения от стехиометрического состава дополнительно рассмотрена Крёгером с точки зрения приготовления чистого полупроводникового соединения, один компонент которого летучий. Он отмечает, что, во-первых, любой из компонентов двойного соединения может быть примесью и что вместе с тем наиболее тугоплавкий состав, к которому приближается соединение при зонной очистке, обычно не является стехиометрическим. Во-вторых, если предотвращать разложение соединения, поддерживая определенное давление пара летучего компонента над слитком в процессе зонной очистки, то жидкость стремится сохранить состав, отвечающий условиям равновесия с паром, вследствие чего в отношении очищающего действия возникает конкуренция между зонной очисткой и взаимодействием пара с жидкостью. Этими двумя явлениями можно воспользоваться для достижения правильного соотношения компонентов, но вообще они осложняют процесс.

Также зонной очистке подвергают ионные соединения, окислы, органические и другие соединения. К числу исследованных относятся соединения KNO₃ и Na₂SO₄.

Дата добавления: 2015-08-20