Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Конструкция. Схематическое устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом

Режимы работы транзистора | Усилительные свойства транзистора | Показатели, характеризующие усилительные свойства транзистора | Модуляция ширины канала | Статические ВАХ ПТ с управляющим р -n переходом | Схема с ОБ | Схема с ОК | Схема с ОЭ | Выходная характеристика | Системы малосигнальных параметров БТ |


Читайте также:
  1. Вопрос 48. Вводные конструкции в структуре простого предложения. Семантические группы вводных конструкций. Пунктуация в предложениях с вводными конструкциями.
  2. Гибкие печатные платы в тонких конструкциях
  3. Глава 1.6. Техобслуживание, ремонт, модернизация и реконструкция
  4. Грамматическая конструкция (оборот)
  5. Датчики и регуляторы. Реле контроля скорости. Конструкция, принцип действия, недостатки.
  6. Диаграмма состояния системы «железо – углерод». Марки углеродистых сталей применяемых в строительных конструкциях.
  7. Законодательная конструкция оснований недействитель­ности сделок должника

Схематическое устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом представлено на рис. 9.4

 

 

Рис. 9.4 Упрощенная структура полевого транзистора с управляющим p-n переходом

 

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом представляет собой монокристалл полупроводника n - типа проводимости.

 

По торцам кристалла методом напыления сформированы электроды, а посередине, с двух сторон, созданы две области p -типа проводимости также с электрическими выводами от этих областей, соединенные между собой (возможны и другие варианты структуры, например – цилиндрическая с кольцевым затвором).

 

На границе раздела областей с различным типом проводимости возникнет

р-n переход.

 

ПТ содержит три полупроводниковые области: две одного и того же типа проводи­мости, называемые соответственно истоком (И) и стоком (С), и противоположной им типа проводимости, называемой затвором (З).

Область между стоком и истоком называется каналом.

 

К каждой из областей (стоку, истоку и затвору) присоединены соответствую­щие выводы (невыпрямляющие контакты, омические).

 

В транзисторе используется движение носителей заряда одного знака (ос­новных носителей), которые, ПОД ДЕЙСТВИЕМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ, СОЗДАВАЕМОГО ВНЕШНИМ ИСТОЧНИКОМ (Uси), движутся из истока через канал в сток.

 

Этим объ­ясняются названия: исток - область, из которой выходят носители заряда, и сток - область, в которую они входят.

 

p-n переход при нормальном режиме работы транзистора должен быть обратносмещенным.

 


Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 45 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Полевые транзисторы| Физика работы

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)