Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Системы малосигнальных параметров БТ

Усилительные свойства транзистора | Показатели, характеризующие усилительные свойства транзистора | Полевые транзисторы | Конструкция | Физика работы | Модуляция ширины канала | Статические ВАХ ПТ с управляющим р -n переходом | Схема с ОБ | Схема с ОК | Схема с ОЭ |


Читайте также:
  1. I По способу создания циркуляции гравитационные системы отопления.
  2. I этап реформы банковской системы относится к 1988-1990 гг.
  3. I. Общая характеристика и современное состояние системы обеспечения промышленной безопасности
  4. II. Насосные системы водяного отопления (с принудительной, искусственной, циркуляционной) НСВО.
  5. II. Описание работы системы смазки.
  6. II.2.1. Конструирование системы мероприятий, проходящих в режиме самоорганизации педагогов и вожатых.
  7. III. СИСТЕМЫ УБЕЖДЕНИЙ И ГЛУБИННЫЕ УБЕЖДЕНИЯ

Эти параметры используются при расчете усилительных устройств.

Под малым сигналом понимают такое, например синусоидальное напряжение сигнала

Uс = sin(wt), величина амплитуды напряжения которого значительно меньше постоянных напряжений смещения на электродах транзистора.

В пределах изменения напряжения малого сигнала статические характеристики транзистора считаются линейными.

Для анализа работы транзистора пользуются его эквивалентными схемами. Транзистор в них рассматривается как устройство, имеющее два входных и два выходных зажима и обладающие способностью усиливать мощность подводимых к нему колебаний.

 

В электротехнике такое устройство получило название активного четырехполюсника.

 

 

 

Рис.7 Представление транзистора активным четырехполюсником.

 

Из курса электротехники известно, что линейный четырехполюсников может быть описан системой 2-х линейных уравнений параметров.

 

 

Наиболее удобными для рассмотрения транзисторных схем являются:

1. Система z-параметров (параметры z имеют размерности сопротивлений)

 

(7)

 

2. Система y-параметров, или параметров короткого замыкания (параметры y имеют размерности проводимостей)

 

(8)

 

3. Система h-параметров, смешанная система параметров, получившая наибольшее распространенеие

 

(9)

 

При практическом определении h-параметров могут быть использованы действующие и максимальные значения входных токов и напряжений или их приращения.

Величины h-параметров зависят от схемы включения, поэтому в их обо­значение вводится индекс, показывающий, для какой схемы они определены, например h11б, h11э, h11к,

В справочниках указываются преимущественно значения параметров в типовой рабочей точке. В других точках статических характеристик h-параметры можно определить из семейств входных и выходных характеристик транзистора.

 

Для этого значения токов и напряжений представляют в виде конечных приращений

 

- определяется по входной статической характеристике

 

- определяется совместно по входной и выходной статическим характеристикам

- определяется по выходной статической характеристике

 


Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 50 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Выходная характеристика| Выходная динамическая характеристика (для схемы ОЭ)

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)