Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Усилительные свойства транзистора

Полевые транзисторы | Конструкция | Физика работы | Модуляция ширины канала | Статические ВАХ ПТ с управляющим р -n переходом | Схема с ОБ | Схема с ОК | Схема с ОЭ | Выходная характеристика | Системы малосигнальных параметров БТ |


Читайте также:
  1. I. Оксиды их получение и свойства
  2. А. Физико-химические свойства белков
  3. Арифметические свойства пределов последовательностей
  4. Бесконечно большие последовательности и их свойства
  5. Бесконечно малые и бесконечно большие последовательности и их свойства.
  6. Бесконечно малые последовательности и их свойства
  7. Биогумус и его свойства

Усилительные свойства транзистора рассмотрим на примере схемы включения транзистора с общей базой, рис.9.2

 

Рис.9.2

 

На вход транзистора, относительно перехода база-эмиттер, подаются два напряжения: постоянное напряжение смещения ЕЭ и переменное напряжение подлежащее усилению Uвх, причем

 

Uвх<< ЕЭ (9.1)

 

Соотношение источников питания ЕК и смещения ЕЭ:

 

ЕЭ < ЕК. (9.2)

 

В коллекторную цепь транзистора включа­ется сопротивление нагрузки RH.

Т.к. выходное со­противление транзистора (транзистор, со стороны коллек­торного перехода является источником тока, его внутреннее сопротивление велико,1-10 МОм), то можно в цепь коллектора включать большие по номиналу сопротивления нагрузки, почти не влияя на величину коллекторного тока (RH - единицы и десятки килоом).

 

Соответственно в цепи нагрузки может выделяться значительная мощность (переменной составляющей)

 

Pвых ~ =1/2Iк2Rн (9.3)

 

Входное сопротивление схемы, напротив, весьма ма­ло (прямо смещенного эмиттерного перехода, единицы - десятки Ом). Соответственно

 

Rн >> Rвх, (9.4)

 

Поэтому при почти одинаковых токах коллектора и эмиттера Iк ~ Iэ, (включение транзистора в схеме с общей базой) мощность, потребляемая в цепи эмиттера

 

Pвх ~ =1/2Iэ2Rвх (9.5)

 

оказывается несравненно меньше, чем выделяе­мая в цепи нагрузки.

 

Pвых/ Pвх ~ Rн / Rвх (9.6а)

 

Из (9.6) и (9.4) видно, что

 

Pвых>> Pвх (9.6б)

 

!!! Т.о транзистор способен усиливать мощность, т.е. он являет­ся усилительным прибором.

 


Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 65 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Режимы работы транзистора| Показатели, характеризующие усилительные свойства транзистора

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)