Читайте также:
|
|
Усилительные свойства транзистора рассмотрим на примере схемы включения транзистора с общей базой, рис.9.2
Рис.9.2
На вход транзистора, относительно перехода база-эмиттер, подаются два напряжения: постоянное напряжение смещения ЕЭ и переменное напряжение подлежащее усилению Uвх, причем
Uвх<< ЕЭ (9.1)
Соотношение источников питания ЕК и смещения ЕЭ:
ЕЭ < ЕК. (9.2)
В коллекторную цепь транзистора включается сопротивление нагрузки RH.
Т.к. выходное сопротивление транзистора (транзистор, со стороны коллекторного перехода является источником тока, его внутреннее сопротивление велико,1-10 МОм), то можно в цепь коллектора включать большие по номиналу сопротивления нагрузки, почти не влияя на величину коллекторного тока (RH - единицы и десятки килоом).
Соответственно в цепи нагрузки может выделяться значительная мощность (переменной составляющей)
Pвых ~ =1/2Iк2Rн (9.3)
Входное сопротивление схемы, напротив, весьма мало (прямо смещенного эмиттерного перехода, единицы - десятки Ом). Соответственно
Rн >> Rвх, (9.4)
Поэтому при почти одинаковых токах коллектора и эмиттера Iк ~ Iэ, (включение транзистора в схеме с общей базой) мощность, потребляемая в цепи эмиттера
Pвх ~ =1/2Iэ2Rвх (9.5)
оказывается несравненно меньше, чем выделяемая в цепи нагрузки.
Pвых/ Pвх ~ Rн / Rвх (9.6а)
Из (9.6) и (9.4) видно, что
Pвых>> Pвх (9.6б)
!!! Т.о транзистор способен усиливать мощность, т.е. он является усилительным прибором.
Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 65 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Режимы работы транзистора | | | Показатели, характеризующие усилительные свойства транзистора |