Читайте также:
|
Это главный параметр, определяющий зависимость характеристик транзистора от частоты и режимов смещения. По определению
(4.32)
Считая, что электрическое поле в базе равно нулю можно написать
IpК = qSDp 
p|x=w IpЭ = qSDp p|x=0
Где за х = 0 принята граница база-эмиттер, а за x = w –граница база-коллектор. Таким образом, вычисление токов сводиться к определению распределения концентрации инжектированных носителей в базе и вычислению производных в точках x=0 и x=w. В результате, используя известные соотношения и считая градиент концентрации неравновесных носителей в базе линейным, можно получить выражение для коэффициента переноса в виде
(4.33)
где w – толщина базы;
Lp – диффузионная длина;
g – скорость поверхностной рекомбинации;
А – коэффициент геометрии транзистора;
τp – время жизни носителей;
SЭ – площадь сечения эмиттера (SЭ = Aw).
Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 59 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Контакт полупроводников n-p-n и p-n-p типа Транзисторные переходы | | | Эффективность коллектора. |