МОП транзистор с индуцированным каналом. Устройство работа характеристики.

МДП-транзисторы с индуцированным каналом

Структура такого транзистора аналогичная структуре МДП с встроенным каналом, но при U _з-и = 0 канал отсутствует (рис. 3.13). Поэтому ток по цепи сток-исток протекает очень маленький (10^–8–10^–9 А), его можно принять равным нулю. При увеличении напряжения затвор-исток за счет эффекта поля электроны из подложки будут подтягиваться к поверхности подложки под затвором. При некотором напряжении, которое носит название напряжения возбуждения канала, образуется поверхностный инверсный слой n, т.е. исток и сток соединяются каналом n -типа, замыкая цепь сток-исток и по этой цепи потечет ток.

Зависимость тока стока от напряжения на затворе (сток-затворная ВАХ) представлена на рис. 3.14. На рис. 3.14 напряжение U ₀ носит название напряжения возбужденного канала и численно равно 2,5–3 В. Выходные характеристики внешне выглядят также, как и у МДП с встроенным каналом, однако при U _з-и = 0 ток практически равен нулю (рис. 3.15). Следовательно, такой транзистор работает только в режиме «обогащения».

Параметры МДП-транзисторов такие же, как и у полевого транзистора с управляемым p - n -переходом – это крутизна характеристики s, дифференциальное сопротивление стока r _c, статический коэффициент усиления напряжения m. Схема замещения представлена на рис. 3.16.

Дата добавления: 2015-07-25