Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

МОП транзистор с индуцированным каналом. Устройство работа характеристики.

Туннельный диод | Биполярные транзисторы. Устройство, принцип действия. Схнма с ОБ. | Принцип действия биполярного транзистора | Схема включения транзистора с ОБ | Статические характеристики в схеме с ОБ. | Статические характеристики в схеме с ОЭ. | Схема включение транзистора с ОЭ | Схема включения транзистора с ОК | Сравнительный анализ трех схем включения | Классификация усилителей |


Читайте также:
  1. Cпиновый транзистор
  2. I. РАБОТА НАД ТЕКСТОМ
  3. II. Работа над смысловой и интонационной законченностью предположения.
  4. II. Работа по составлению предложений.
  5. II. Работа с предложением, состоящим из трех слов.
  6. II. Работа с рассказом.
  7. II. Работа с таблицей

МДП-транзисторы с индуцированным каналом

 

Структура такого транзистора аналогичная структуре МДП с встроенным каналом, но при U з-и = 0 канал отсутствует (рис. 3.13). Поэтому ток по цепи сток-исток протекает очень маленький (10–8–10–9 А), его можно принять равным нулю. При увеличении напряжения затвор-исток за счет эффекта поля электроны из подложки будут подтягиваться к поверхности подложки под затвором. При некотором напряжении, которое носит название напряжения возбуждения канала, образуется поверхностный инверсный слой n, т.е. исток и сток соединяются каналом n -типа, замыкая цепь сток-исток и по этой цепи потечет ток.

Зависимость тока стока от напряжения на затворе (сток-затворная ВАХ) представлена на рис. 3.14. На рис. 3.14 напряжение U 0 носит название напряжения возбужденного канала и численно равно 2,5–3 В. Выходные характеристики внешне выглядят также, как и у МДП с встроенным каналом, однако при U з-и = 0 ток практически равен нулю (рис. 3.15). Следовательно, такой транзистор работает только в режиме «обогащения».

 

 

Параметры МДП-транзисторов такие же, как и у полевого транзистора с управляемым p - n -переходом – это крутизна характеристики s, дифференциальное сопротивление стока r c, статический коэффициент усиления напряжения m. Схема замещения представлена на рис. 3.16.

 


Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 50 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
МДП-транзистор со встроенным каналом| Усилители эл-х сигналов. Структура, параметры, хар-ки.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)